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* * 第 七 章 半 导 体 存 储 器 教学内容 §7.1 概述 §7.2 只读存储器 §7.3 随机存储器 §7.4 存储容量的扩展 §7.5 用存储器实现组合逻辑函数 教学要求 1.了解二极管、晶体管ROM的基本结构和存储单元结构;会用ROM实现组合逻辑函数。 2.熟悉RAM的结构和操作过程;了解RAM的扩展方式。 7.1 概述 半导体存储器是一种能存储大量二值信息的半导体器件。 按存储功能分 只读存储器(ROM) 随机存储器(RAM) 按制造工艺分 双极性 MOS型 7.2 只读存储器(ROM) 优点:电路结构简单,断电后数据不丢失,具有非易失性。 缺点:只适用于存储固定数据的场合。 电路结构 Read Only Memory 只读存储器分类: 掩膜ROM:出厂后内部存储的数据不能改动,只 能读出。 PROM:可编程,只能写一次。 EPROM:用紫外线擦除,擦除和编程时间较慢,次数也不宜多。 E2PROM:电信号擦除,擦除和写入时需要加高电压脉冲,擦、写时间仍较长。 快闪存储器(Flash Memory):吸收了EPROM结构简单,编程可靠的优点,又保留了E2PROM用隧道效应擦除的快捷特性,集成度可作得很高。 7.3 随机存储器(RAM) 优点:读、写方便,使用灵活。 缺点:一旦停电所存储的数据将随之丢失(易失性)。 基本结构:地址译码器、存储矩阵和读\写控制电路构成。 Random Access Memory . . . P368图7.3.2 7.4 存储容量的扩展 字线 位线 存储容量=字数×位数 存储容量=22×4=4×4 地址输入端 数据输出端 位扩展 8片1024×1位RAM接成1024×8位的RAM。 字扩展 4片256×8位的RAM接成1024 ×8位的RAM。 * *
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