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摘要…………………………………………………………………………………………………………。I
Abs把act………………………………………………………………………………………………………………………………………III
Ej录…………………………………………………………………………………………………………………………………………….、,
第一章绪论…………………………………………………………………………………………………1
1.1课题背景…………………………………………………………………………………………一1
1.1.1功率器件与Ⅵ)MOS………………………………………………………………………1
1.1.2空间辐射与航天安全………………………………………………………………………2
1.1.3辐射损伤与抗辐射加固……………………………………………………………………4
1.2国内外研究现状…………………………………………………………………………………一5
1.2.1单粒子烧毁(SEB)………………………………………………………………………….5
1.2.2单粒子栅穿(SEGR)………………………………………………………………………..7
1.2.3总剂量效应(1’工D)…………………………………………………………………………一8
1.3论文研究内容及意义……………………………………………………………………………一8
1.4论文组织结构……………………………………………………………………………………一9
第二章Ⅵ)MOS工作原理与特性分析…………………………………………………………………..1l
2.1VDMOS结构与工艺……………………………………………………………………………。11
2.1.1
vDMOs基本结构…………………………………………………………………………lI
2.1.2Ⅵ)MOS工艺流程…………………………………………………………………………13
2.2VDMOS工作特性………………………………………………………………………………..14
2.2.1
VDM0s关断特性…………………………………………………………………………14
2.2.2ⅧM0s导通特性…………………………………………………………………………17
2.3Ⅵ)MOS主要参数………………………………………………………………………………。l9
2.3.1击穿电压………………………………………………………………………………….19
2.3.2阈值电压………………………………………………………………………………….21
2.3.3导通电阻…………………………………………………………………………………..22
2.4终端结构…………………………………………………………………………………………27
2.4.1场限环结构……………………………………………………………………………….27
2.4.2场板结构………………………………………………………………………………….28
2.5本章小结…………………………………………………………………………………………29
第三章sEB辐射效应研究……………………………………………………………………………….31
3.1SEB分析模型……………………………………………………………………………………..31
3.1.1三极管击穿特性………………………………………………………………………….3l
3.1.2电流引发雪崩倍增效应………………………………………………………………….32
3.1_3拟光触发晶闸管模型…………………………………………………………………….34
V
东南大学硕士学位论文
3.2SEB数值仿真模型………………………………………………………………………………..36
3.2.1
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