150V抗辐射VDMOS的设计.pdfVIP

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目录 目录 摘要…………………………………………………………………………………………………………。I Abs把act………………………………………………………………………………………………………………………………………III Ej录…………………………………………………………………………………………………………………………………………….、, 第一章绪论…………………………………………………………………………………………………1 1.1课题背景…………………………………………………………………………………………一1 1.1.1功率器件与Ⅵ)MOS………………………………………………………………………1 1.1.2空间辐射与航天安全………………………………………………………………………2 1.1.3辐射损伤与抗辐射加固……………………………………………………………………4 1.2国内外研究现状…………………………………………………………………………………一5 1.2.1单粒子烧毁(SEB)………………………………………………………………………….5 1.2.2单粒子栅穿(SEGR)………………………………………………………………………..7 1.2.3总剂量效应(1’工D)…………………………………………………………………………一8 1.3论文研究内容及意义……………………………………………………………………………一8 1.4论文组织结构……………………………………………………………………………………一9 第二章Ⅵ)MOS工作原理与特性分析…………………………………………………………………..1l 2.1VDMOS结构与工艺……………………………………………………………………………。11 2.1.1 vDMOs基本结构…………………………………………………………………………lI 2.1.2Ⅵ)MOS工艺流程…………………………………………………………………………13 2.2VDMOS工作特性………………………………………………………………………………..14 2.2.1 VDM0s关断特性…………………………………………………………………………14 2.2.2ⅧM0s导通特性…………………………………………………………………………17 2.3Ⅵ)MOS主要参数………………………………………………………………………………。l9 2.3.1击穿电压………………………………………………………………………………….19 2.3.2阈值电压………………………………………………………………………………….21 2.3.3导通电阻…………………………………………………………………………………..22 2.4终端结构…………………………………………………………………………………………27 2.4.1场限环结构……………………………………………………………………………….27 2.4.2场板结构………………………………………………………………………………….28 2.5本章小结…………………………………………………………………………………………29 第三章sEB辐射效应研究……………………………………………………………………………….31 3.1SEB分析模型……………………………………………………………………………………..31 3.1.1三极管击穿特性………………………………………………………………………….3l 3.1.2电流引发雪崩倍增效应………………………………………………………………….32 3.1_3拟光触发晶闸管模型…………………………………………………………………….34 V 东南大学硕士学位论文 3.2SEB数值仿真模型………………………………………………………………………………..36 3.2.1

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