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- 2019-01-03 发布于四川
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- | 1993-02-06 颁布
- | 1993-10-01 实施
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669-782 UHD8C1 疡黔 中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 Gs/T 14139一93 吞 t ﹄ 卜 硅 2 . 延 片 Siliconepitaxialwafers 1993一02一06发布 1993一10一01实施 国 家 技 术 监 督 局 发 布 中华人民共和国国家标准 GB/T 14139一93 硅 外 延 片 Siliconepitaxialwafers 主题 内容与适用范围 本标准规定了硅外延片的产品分类、技术要求、试验方一法和检验规则及标志、包装、运输、贮存。 本标准适用于在N型硅抛光片衬底上生长的N型外延层(N/N`,和在P型硅抛光片衬底上生长 的P型外延层(P/PI)的同质硅外延片。产品用于制作半导体器件 ‘ 弓1用标 准 GB2828 逐批检查计数抽样程序及抽样表(适用于连续批的检查) GB6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB12962 硅单晶 GB12964硅单晶抛光片 GB/T13389掺硼掺磷硅单晶电阻率和掺杂剂浓度换算规程 GB/T 14142 硅外延层晶体完整性检测方法 腐蚀法 GB/T14145硅外延层堆垛层错密度测定 干涉相衬显微镜法 GB/T14146硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容一电压法 GB/T14264 半导体材料术语 YS/T23硅外延层厚度测定 堆垛层错尺寸法 YS,T24外延钉缺陷的检测方法 YS/T28 硅片包装 产品分类 3-, 导电类刑 产品按导电类型分为N型和P型. 3-2 规格 产品按直径尺寸分为(50.8mm,76.2mm,80mm,90mm和100mm, 3.3 外延片晶向 产品按晶向分为111,100等。 3.4 产品牌号 产品牌号表示为: 国家技术监.局1993一02一06批准 1993一10一01实施 GB/T 14139一93 MSi一 XX EW XXX OXX 丁 可 直径尺寸 晶向 外延片 导电类型、结构 硅·单晶材料 示例:MSi-N/N十一EW111价76.2表示N/N结构111晶向直径为76.2mm的硅外延层。 技术要求 外延片衬底参数 硅单晶衬底的电阻率应符合表1的规定,其他各项参数应符合GB12962的规定。 表 1 硅单晶衬底的电阻率 电阻率,n ·cm
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