GB/T 12962-2005硅单晶.pdf

】《万 四 。045 H 82 遐黔 中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 GB/T 12962-2005 代替GB/T 12962-1996 硅 单 晶 Monoccrystallinesilicon 2005-09-19发布 2006-04-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发 布 中 国 国家 标 准 化 管 理 委 员 会 GB/T 12962-2005 前 言 本标准的指标参照了国外有关标准(见参考文献)，结合我国硅材料的实际生产和使用情况，并考虑 国际上硅材料的生产及微电子产业的发展和现状进行修订而成的。 本标准代替GB/T12962-1996, 本标准与GB/T12962-1996相比，有如下变动: — 删去了原标准直拉单晶的直径为63.5mm规格，增加了直径200mm直拉硅单晶及掺As单 晶的内容。 — 删去了原标准区熔单晶的直径为30mm规格，增加了直径 125mm区熔硅单晶的内容。 — 根据国内外对直拉硅单晶要求的变化，对 150mm以下的硅单晶参数进行了修订。 — 增加了硅单晶的金属含量要求。 — 对重掺单晶的氧含量，基翻、基磷含量的要求及检测方法由供需双方协商的内容。 本标准应与GB/T12964,GB/T12965配套使用。 本标准由中国有色金属工业协会提出。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会归口。 本标准由北京有色金属研究总院、中国有色金属工业标准计量质量研究所负责起草。 本标准主要起草人:孙燕、王敬、卢立延、贺东江、翟富义。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会负责解释。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为: — GB/T12962-1991 — GB/T12962-1996 GB/T 12962-2005 硅 单 晶 范围 1.1 本标准规定了硅单晶的产品分类、术语、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、 贮存 。 1.2 本标准适用于直拉、悬浮区熔和中子嫂变掺杂制备的硅单晶。产品主要用于制作半导体元器件。 2 规范性引用文件 下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注明年代的引用文件，其随后所 有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研 究是否可使用这些文件的必威体育精装版版本。凡是不注明年代的引用文件，其必威体育精装版版本适用于本标准。 GB/T155。 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T1551 硅锗单晶电阻率测定 直流二探针法 GB/T1552 硅锗单晶电阻率测定 直排四探针法 GB/T1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 GB/T1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法 GB/T1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法 GB/T11073 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T12964 硅单晶抛光片 GB/T13387 电子材料晶片参考面长度测量方法 GB/T14140(所有部分) 硅片直径测量方法 GB/T14143 300pm-900pm硅片