半导体二极管四.PPTVIP

常用半导体器件 §1-1．半导体基础知识 §1-1．半导体基础知识 §1-1．半导体基础知识 §1-1．半导体基础知识 §1-1．半导体基础知识 §1-1．半导体基础知识 §1-1．半导体基础知识  §1-1．半导体基础知识 §1-1．半导体基础知识 §1-1．半导体基础知识 §1-1．半导体基础知识 §1-1．半导体基础知识 §1-1．半导体基础知识 §1-1．半导体基础知识 §1-1．半导体基础知识 §1-2．半导体二极管 §1-2．半导体二极管 §1-2．半导体二极管 §1-2．半导体二极管 §1-2．半导体二极管 §1-2．半导体二极管 §1-2．半导体二极管 §1-2．半导体二极管 §1-3．双极型晶体管 §1-3．双极型晶体管 §1-3．双极型晶体管 §1-3．双极型晶体管 §1-3．双极型晶体管 §1-3．双极型晶体管 §1-3．双极型晶体管 §1-3．双极型晶体管 §1-3．双极型晶体管 §1-3．双极型晶体管 §1-3．双极型晶体管 §1-3．双极型晶体管 §1-4．场效应管 §1-4．场效应管 §1-4．场效应管 §1-4．场效应管 §1-4．场效应管 §1-4．场效应管 §1-4．场效应管 三、晶体管的共射特性曲线 1.输入特性曲线 三、晶体管的共射特性曲线 1.输出特性曲线 1.输出特性曲线 1）.截止区 2）.放大区 3）.饱和区 四、晶体管的主要参数 1.直流参数 1）共射直流电流放大系数 2）共基直流电流放大系数 3）极间反向电流 集－基极反向截止电流ICBO 集－射极反向截止电流ICEO 2.交流参数 1）共射交流电流放大系数β 2）共基交流电流放大系数 3）特征频率fF 3.极限参数 1）最大集电极耗散功率 PCM 2）最大集电极电流 ICM 3）极间反向击穿电压 集－基极反向击穿电压 UCBO 集－射极反向击穿电压 UCEO 射－基极反向击穿电压 UEBO 五、温度对晶体管特性及参数的影响 1.温度对ICBO的影响： 温度每升高100C, ICBO增加约一倍。 2.温度对输入特性的影响 3.温度对输出特性的影响 场效应管(FET)是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。 它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。 一、类型及符号 N沟道 1.结型 P沟道 N沟道 增强型 P沟道 2.绝缘珊型 N沟道 耗尽型 P沟道 二、 特性曲线与电流方程(NJFET) 1.漏极特性曲线 1）可变电阻区：预夹断前（UDSUGS-UGS(off)) 特点： a) iD～UDS 线性 b) UDS→RDS （RDS=UDS/ID) 2）恒流区：预夹断后（UDSUGS-UGS(off)) 特点： a) b) UDS↑→ID 几乎不变（略增） 3）夹断区：夹断后（UGSUGS(off)) 特点： iD=0 2.转移特性曲线 3.电流方程 ( UGS（off)uGS0 ) ( UDSUGS-UGS(off) ) 4.NEMOSFET 特性曲线与电流方程 三、场效应管的主要参数 1.直流参数 1）开启电压UGS（th) 2.交流参数 2）夹断电压UGS（0ff) 3）饱和漏极电流IDSS 4）直流输入电阻RGS（DC） 1）低频跨导gm 2）极间电容 Cgs、Cgd、Cds 3.极限参数 3）最大耗散功率 PDM 1）最大漏极电流 IDM 2）击穿电压 漏－源击穿电压U（BR）DS 珊－源击穿电压 U（BR）GS 四、FET与BJT的比较 BJT FET B E C G S D 电流控电流源 电压控电流源 两种载流子导电 多子导电 NF↓ NF↑ * * 主要内容： §1-1．半导体基础知识 §1-2．半导体二极管 §1-3．双极型晶体管 §1-4．场效应管 一、本征半导体 纯净的、具有晶体结构的半导体称为本征半导体。 1.半导体 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。 大多数半导体器件所用的主要材料是硅（Si）和锗（Ge）。 2.结构 原子结构 晶体结构 原子 规则