反向偏压调制下I型阱结构体系光致发光特性研究.docVIP

反向偏压调制下I型阱结构体系光致发光特性研究 　　摘 要：实验过程中研究了8-hydroxyq-uinoline aluminum（Alq3）和2-（4-biphenylyl）-5（4-tert-butyl-phenyl）-1，3，4-oxadiazole（PBD）构成的I型有机阱结构器件在反向偏压调制下的光致发光。器件的光致发光光谱主要是Alq3的发光，不同周期数的阱结构器件在反向电场作用下，光致发光的猝灭程度不同。 　　关键词： 光致发光；猝灭；阱结构；光谱 　　中图分类号：O482.3 文献标识码：B 　　Study on the Photoluminescence Properties of Type I Quantum Well System under Reverse Bias Modulation 　　ZHU Hai-na1，2， XU Zheng2， ZHENG Ning1， ZHANG Lian1， CHEN Zi-jian1 　　（1. Department of Electrical and energy， Tianjin Sino-German Vocational Technical College， Tianjin 300350， China； 2. Key Laboratory of Luminescence and Optical Information， Institute of Optoelectronic Technology， Beijing Jiaotong University， Beijing 100044， China） 　　Abstract： The photoluminescence of organic devices of type I quantum well structure consisting of 8-hydroxyq-uinoline aluminum （Alq3） and 2-（4-biphenylyl）-5（4-tert-butyl-phenyl）-1，3，4-oxadiazole （PBD） under reverse bias modulation have been studied. Photoluminescence spectrum of these devices is mainly about Alq3. The photoluminescence of quenching of degree of different cycle number of well structure devices， under reverse electric field modulation are different. 　　Keywords： photoluminescence； quenching； well structure； spectrum 　　引 言 　　量子阱结构器件首次于1970年在无机半导体领域中被研究[1]，对无机半导体材料量子阱的研究，给半导体科学注入了新的活力[2-5]。在无机半导体激光器的研究方面，量子阱结构是改善器件性能的重要途径之一，量子阱结构具有降低状态密度、提高增益、降低阈值、提高调制带宽、改善注入稳定性等优点。由无机半导体材料制成的半导体量子阱结构器件，表现出许多特殊的与量子尺寸效应相关的输运特性和光学性质。由于量子阱结构器件具备这些优越特性，人们把量子阱结构引入到有机发光器件中，以期望提高有机器件的性能。So和他的合作者们首次研究了有机阱结构器件[6-7]，他们报导了由3、4、9、10 perylenetetracarboxylic dianhydride（PTCDA）和3、4、7、8 naphthalenetetracarboxylic dianhydride（NTCDA）组成的有机阱结构器件，观察到由PTCDA和NTCDA构成的量子阱结构的吸收峰移向高能方向，并解释为激子限制和量子尺寸效应。自此之后有机阱结构器件开始被广泛研究[8-9]。Ohmori等人[10]在有机阱结构器件中得到了量子限制效应并利用有机阱结构作为发光层提高了器件的发光效率，发现其发光峰蓝移和光谱窄化的现象，将蓝移归因为激子限制效应。还有一些研究者证明了I型阱结构器件中的由垒层向阱层能量传递比II型阱结构器件更有效[11-12]。这些基础性工作必将有助于进一步理解有机量子阱结构的发光机理和改善器件的性能。 　　实验过程中制备了类似于I型量子阱结构的器件，讨论了I型阱结构器件在反向偏压调制下的光致发光猝灭。在薄膜中的有机分子被激发光激发后，由激发态返回到基态共有如下三种方式：（1）辐射跃迁——发光；（2）激子解离成自由电荷