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半导体第七章习题解答9
* 第七章 金属-半导体（MS）接触 1、 接触电势差 ， Au电位高于Pt电位 Au-Pt Mo电位高于W电位 Mo-W Al电位高于Au电位 Al-Au Ag电位等于Cu电位 Cu-Ag Al电位高于W电位 W-Al Cu电位高于Au电位 Au-Cu Al电位高于Cu电位 Al-Cu 2、 A、C金属的接触电势差 B、C金属的接触电势差 若温度相等，A、B金属的接触电势差与金属C无关， 3、 在不考虑界面态的情况下，与Al接触的接触电势差， N型硅功函数 Al电位高于N型半导体电位，半导体表面形成N型反阻挡层 在不考虑界面态的情况下，与Au接触的接触电势差， Au电位低于N型半导体电位，半导体表面形成N型阻挡层 在不考虑界面态的情况下，与Pt接触的接触电势差， Pt电位低于N型半导体电位，半导体表面形成N型阻挡层 4、 P型硅功函数 在不考虑界面态的情况下，与Al接触的接触电势差， Al电位高于P型半导体电位，半导体表面形成P型阻挡层 在不考虑界面态的情况下，与Au接触的接触电势差， Au电位低于P型半导体电位，半导体表面形成P型反阻挡层 在不考虑界面态的情况下，与Pt接触的接触电势差， Au电位低于P型半导体电位，半导体表面形成P型反阻挡层 5、 红光波长 ，对应光子能量， 紫光波长 ，对应光子能量， 红光照射金属时，不能从金属激发光电子到真空中。 紫光照射金属时，能从金属激发光电子到真空中，光电子的能量为， 波长185nm紫外光照射金属时，从金属激发真空中的光电子能量为， 6、 肖特基势垒高度即从半导体一侧看过去的势垒高度 N型阻挡层 加 反向电压时的空间电荷区宽度（势垒区宽度）， 7、 由热电子发射模型得到的反向饱和电流密度， 由表7-4，得到锗（111）面对应的有效理查逊常数， 室温下，反向饱和电流密度， *
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