材料制备大期末复习资料.docVIP

晶胞：空间点阵可分成无数等同的平行六面体，每个平行六面体称为晶胞。 晶格：空间点阵可以看成在三个坐标方向上无数平行坐标轴的平面彼此相交所形成的格点的集合体，这种集合体是一些网络，称为晶格。 晶体缺陷：在实际的晶体中，原子规则排列遭到破坏可分为点缺陷、线缺陷和面缺陷三类。 位错能（位错的应变能）：晶体中位错的存在会引起点阵畸变，导致能量增高，这种增加的能量即为位错能，包括位错的核心能量和弹性应变能量（占总能量的9/10）。 位错反应：位错的合并于分解即晶体中不同柏氏矢量的位错线合并为一条位错线或一条位错线分解成两条或多条柏氏矢量不同的位错线。 柯氏气团：金属内部存在的大量位错线，在刃型位错线附近经常会吸附大量的异类溶质原子（大小不同吸附的位置有差别），形成所谓的“柯氏气团”。 非均匀成核：在亚稳相系统中稳定相优先出现在系统中的某些局部，称为非均匀成核 1.熔盐生长法（助熔剂法、高温溶液法、熔盐法）：是在高温下从熔融盐溶剂中生长晶体的方法。 物理气相沉积（PVD)技术在一定的真空条件下加热被蒸镀材料，使其熔化(或升华)并形成原子、分子或原子团组成的蒸气，凝结在基底表面成膜。溅射是一种物理气相淀积技术，它是形容固体靶中的原子被高能量离子撞击而离开固体进入气体的物理过程。溅射过程中的离子通常来自等离子体 在真空条件下，利用气体放电使气体或被蒸发物质部分电离，并在气体离子或被蒸将蒸发物质或其反应物沉积在基片上的方法 浸镀：由一种金属从溶液中置换另一种金属的置换反应而在金属表面产生牢固金属沉积层的过程。就是利用电解原理在某些金属表面上镀上一薄层其它金属或合金的过程，是利用电解作用使金属或其它材料制件的表面附着一层金属膜的工艺从而起到防止腐蚀，提高耐磨性、导电性、反光性及增进美观等作用。结构特征 fcc面心立方 bcc体心立方 点阵常数 原子半径R 晶胞内原子数n 配位数CN 致密度K 四面体间隙数量 八面体间隙数量 八面体间隙原子半径 四面体间隙位置 4个最近邻原子的中心 侧面中心点1/4和3/4处 八面体间隙位置 体心和邻边中点 面心和棱边中点 实际晶体中的位错取决于晶体的结构和所处的能量条件；其检测方法主要有：化学腐蚀法、X射线衍射形貌照相法、扫描电子显微镜法。 位错的形式有：①刃型位错；②螺型位错；③混合位错（其滑移矢量既不平行也不垂直于位错线，而与位错线相交截任意角度）。 柏氏矢量的确定方法？ 答：先确定位错线的方向（一般规定位错线垂直纸面时，由纸面向外为正向），按右手法则做柏氏回路，右手大拇指指向位错线正向，回路方向按右手螺旋方向确定。然后将同样大小的回路置于理想晶体中，回路不可能封闭，需要一额外的矢量连接才能封闭，这个矢量就是柏氏矢量。柏氏矢量与起点、路径的选择均无关。 柏氏矢量与位错类型的关系是什么？ 答：①若柏氏矢量与位错线平行，则为螺型位错。柏氏矢量与位错线同向的为右螺型位错，柏氏矢量与位错线反向的则为左螺型位错；②若柏氏矢量与位错线相垂直，则为刃型位错，其正负用右手法则判定，多余半原子面在上的称为正刃型位错，反之为负刃型位错；③若柏氏矢量与位错线成任意角度，则为混合位错。 过饱和点缺陷的产生方法有哪些？ 答：通常获得过饱和点缺陷的方式有以下三种： ①淬火。如果将晶体加热到高温，保温足够的时间，然后急冷到低温（淬火），那么空位就来不及通过向位错、晶界等（漏洞）处扩散而消失，因而晶体在低温下含有过饱和的空位。 ②冷加工。金属在室温下进行压力加工（冷加工）时会产生空位，其微观机制是由于位错交割所形成的割阶发生攀移。 ③辐照。当金属受到高能粒子照射时，金属点阵上的原子将被击出，而进入点阵间隙中。由于被击出的原子具有很高的能量，它在进入稳定的间隙位置前还会将点阵上的其他原子击出，后者又可能再击出另外的原子，依次下去就会形成大量的、等量的空位和间隙原子。 位错反应条件有哪几类？ 答：①几何条件——根据柏氏矢量的守恒性，反应后诸位错的柏氏矢量之和应等于反应前诸位错的柏氏矢量之和，即 ②能量条件——从能量角度要求，位错反应必须是一个伴随着能量降低的过程。故反应后的各位错的能量之和应小于反应前各位错的能量之和。即 12、界面能位垒。 答：是指在表面能作用下，界面面积有缩小的趋势，便产生了附加压力。在具有一定的过饱和度或过冷度的亚稳相中，能存在的晶体的最小尺寸是一定的，任何小于该临界尺寸的晶体是不能存在的。这给晶体在亚稳相中规定了一个临界半径尺寸，即界面能在晶体形成过程中所设置的障碍，称为形成过程中的热力学位垒。 在晶体生长过程中，如果在晶体-流体界面上遇到了某种干扰，界面上出现的凸缘尺寸若小于当时的驱动力所规定的晶体能存在的最小尺寸，则此凸缘便自动消失，即界面的稳定性被破坏过程中的热力学位垒。 14、特姆金模型的