化学工艺流程题复习总结.docVIP

化学工流程题 1.研磨、粉碎 、喷洒 1.可增大反应物的接触面和接触机会，加快反应速率，以提高原料转化率、利用率、浸取率的目的。 2.增大接触面积的具体措施有：固体采用粉碎、研磨的方法；液体采用喷洒的方法；气体采用多孔分散器等。 2.浸出 1.即浸取、溶解：向固体中加入适量溶剂，使其中可溶性的物质溶解或通过反应进入溶液。（分：水浸、酸浸、碱浸、醇浸等）。 2.水浸：是为了分离水溶性和非水溶性的物质。 3.酸浸：是为了溶解金属、金属氧化物、调节PH促进某离子的水解而转化为沉淀等 4.碱浸：是为了除去油污、溶解酸性氧化物、溶解铝及其化合物、调节PH等。 5.醇浸：为了提取有机物 3.如何提高浸出率 1.浸出率：实际浸取量与理论浸取量的比值 2.提高浸取率可从反应物接触面积、接触机会、温度、反应物的浓度、溶剂性质等方面思考，适当延长浸出时间、多次浸取等也有助于提高浸出率。 4.灼烧（煅烧、焙烧） 是指在高温下使固体原料分解、反应或改变结构。 5.搅拌、加热 加速溶解；增大反应物的接触面积，加快反应速率；对于吸热反应，加热可同时提高原料的转化率，但要避免反应物或生成物的过热分解。 6.增大反应物浓度、加压 1.可加快反应速率 2.加压一般是提高气体反应物浓度措施，在气体和固体、液体反应的体系中并不适宜 3.生产中常使廉价易得的原料适量过量，以提高另一原料的利用率 7.催化剂 大大提高反应速率、降低能耗，但不影响化学平衡。使用时必须注意其活性温度，且防止杂质使催化剂“中毒”，延长使用寿命。 8.表面处理 含有很多，如除去表面油污，或金属晶体可用机械发打磨，或化学法除去表面氧化物等。 分离与提纯-------条件的控制 1.控制pH 1.目的：使某些金属离子形成氢氧化物沉淀而分离 2.方法：加入能消耗H+的物质且不引入新的杂质。如要除去Cu2+中混有的Fe3+，可加入CuO、Cu(OH)2、Cu2(OH)2CO3等来调节溶液的pH。 2.控制体系的环境氛围 1.蒸发或结晶时，加入相应的酸或碱以抑制某些盐的水解。 2.需要在酸性气流中干燥FeCl3、AlCl3、MgCl2等含水晶体，抑制水解并带走因分解产生的水汽。 3.营造还原性氛围，防止还原性物质被氧化。如加入铁粉防止Fe2+被氧化。 4.加入氧化剂进行氧化。如加入绿色氧化剂H2O2将Fe2+氧化转化为Fe3+ 绿色氧化剂H2O2的优点：不引入新杂质，对环境无污染。 3.控制温度 1.加热：加速溶解、加快反应速率或促进平衡向某个方向移动（如促进水解生成沉淀） 2.降温：防止某物质在某温度时会溶解或分解，或促进平衡向某个方向移动 3.控制温度在一定范围内：综合多方面因素考虑。如使反应速率不至于太慢、抑制或促进平衡移动、防止反应物分解、防止副反应发生、使催化剂的催化活性最高等。 4.如题目中出现了包括产物在内的各种物质的溶解度信息，则要根据它们溶解度随温度升高而改变的情况，寻找合适的结晶分离方法。 4.趁热过滤 1防止过滤一种晶体或杂质的过程中，因温度下降而析出另一种晶体。 2.若首先析出的是产品，则防止降温时析出杂质而影响产品纯度（目的是提高产品纯度）；若首先析出的是杂质，则防止产品在降温时结晶而损耗（目的是减少产品的损耗） 3.方法：将漏斗先置于热水中预热。 5.产品洗涤 1冰水洗涤：洗去晶体表面的杂质离子，减少洗涤过程中的溶解损耗 2.有机物（如用乙醇）洗涤：洗去表面的杂质离子，降低晶体的溶解损耗，且易于干燥 6煮沸 促进水解，聚沉后利于过滤分离；除去溶解在溶液中的气体，如氧气 7.加氧化剂 氧化某物质，转化为易于被除去（沉淀）的离子 8.加氧化物 调节PH促进水解（沉淀） 循环操作与副产物利用 循环操作 1.对可逆反应：可将未转化的反应物分离出来后送入反应器重新反应。如合成氨反应是可逆反应，分离氨后的尾气中还含有大量原料气N2和H2可送入合成塔，实施循环生成。 2.若某种物质在流程中既是辅助原料又是副产品（既流进又流出），则考虑循环利用。 3.注意某些隐形存在物质，在循环操作中因累积导致浓度过高，可能影响产品的纯度 其他常见考点 2.实验仪器 过滤、蒸发、灼烧、一定物质的量浓度的配制、质量分数浓度的配制、酸碱中和滴定 3.实验操作 1.洗涤沉淀：往过滤器中加蒸馏水，使水浸没沉淀，待水自然流下后，重复操作2-3次。 2.洗涤沉淀的目的：去除沉淀表面附着的可溶性的杂质离子和母液 3.检验沉淀是否洗涤干净：取最后一次洗涤液，根据沉淀吸附的杂质离子，加入合适的检验试剂 ，若没有特征现象出现，则表明沉淀已洗涤干净。 易溶性晶体洗涤（如碳酸钠晶体）：为减少晶体因溶解而损失，可用相应的饱和溶液或酒精洗涤。 4.滴定终点的现象：??????