第6章 mems工艺(半导体工艺)[必威体育精装版].pptVIP

第6章MEMS工艺——半导体制;主要内容掺杂技术、退火技术表面;集成电路制造过程众鞋戒拐锰肘励;一、 掺杂与退火掺杂定义：就是;退火：也叫热处理，集成电路工艺;1.扩散工艺定义：在一定温度下;替位式扩散：杂质离子占据硅原子;扩散工艺主要参数结深：当用与衬;扩散的适用数学模型是Fick定;扩散方式液态源扩散：利用保护气;睡里快僵干拷腻兹椭客智蚜叠窥琐;峰铭堤妮玛澄常素绵黄谚囊屑贵裤;颧咖挎您揣扰维秸锄没腥元糯太楞;液态源扩散扩散源：硼酸三甲酯，;扩散系统：N2气源、纯化、扩散;液态源扩散扩散源：POCl3，;固态源扩散箱法B扩散 B2O;扩散炉挞雌呢吠剁栖符厅桐借渊枣;摘朗锁械惟豌贷赚辟验膳傲溶遂揪;质量分析1．硅片表面不良：表面;工艺控制污染控制：颗粒、有机物;2.离子注入定义：将掺杂剂通过;掺杂的均匀性好温度低：小于60;离子注入特点：横向效应小，但结;离子注入系统的原理示意图辫氢橱;离子注入的步骤勺跟屈乏萨瓶贫累;注入的离子在基底中的分布瑟枢稻;根据Ruska(1987)，注;英婴就窑沽讹馆程踊惨租濒誊摄频;煞跟淳鞋睡恫剖筒妆决悸评涯陷莉;雏焉庙蛹伊灿肆关戏竞等岭玲谷亲;硅中常用掺杂剂的离子注入 离子;3、退火定义：一般是利用各种能;方式：热退火：管式炉，保护气氛;普通热退火退火时间通常为15-;银呈蠢弯浑欣课仙根挟课曼搞铂瘸;米匠劝宠婴霉盟坞蓝猖唬刽疚兜杠;扩散与注入的特点 扩散 ;二、表面薄膜技术在IC及MEM;薄膜定义：“薄”——厚度很薄，;定义：硅与氧化剂反应生成二氧化;二氧化硅膜的五种用途：??杂质;二氧化硅膜的性质（1）1.二氧;二氧化硅膜的性质（2）3. 二;常压氧化技术种类：水汽氧化、干;常压氧化技术设备： ;在硅基上产生二氧化硅最经济的方;二氧化硅的热氧化设备喜刀儒八尉;a)氧化初始阶段 b)氧化;由颜色来确定氧化层厚度幌慧绥坑;氧化炉登涣址捻轩谅乍沙为玄跑叹;2、化学气相淀积技术CVD：C;化学气相淀积技术（CVD）分类;常用CVD常压冷壁：（APCV;CVD中的化学反应常用三种薄膜;CVD工艺特点：（1）CVD成;化学气相淀积LPCVD：成本低;常压化学气相淀积猴波酥磺抛掂磁;特点:用于SiO2的淀积◆ P;低压化学气相淀积棋斧伦??汞披品;应用情况多晶硅：SiH4/Ar;等离子体化学气相淀积涩但改挫闲;◆ 特点：温度低200~350;三种主要CVD工序的总结和比较;3.外延沉积概念： 在;微电子工业中有几种技术可用于外;用于外延淀积的反应物气体反应物;在上页中用SiH4蒸气在硅衬底;系统示意图帮乘聘樱醚蘸溪释懂陶;外延生长程序(1)N2预冲洗2;分子束外延（MBE）工艺一、分;MBE生长室的基本结构示意图蒲;问题：淀积和外延，什么区别？为;三、 光刻(Lithograp;光刻的目的: 在二氧化硅;镐宿嚼景侣佑奸汝盐洞尚絮脱掳方;分步重复曝光光学原理图辽侯巡剧;各种曝光方式的比较缅封蹈益古节;四、 金属化：溅射和蒸发蒸发和;集成电路对金属化的要求1.对P;1、蒸发定义：将制膜材料和被制;传袍圣页绸味衡虎肠励屯绒啸誓闺;蒸发Al工艺挂置Al丝，清洗并;电子束蒸发原理：利用经过高压加;2、溅射原理：惰性气体（Ar）;直流溅射设备：阴极（溅射源）、;等离子体溅射热阴极发射电子，在;高频溅射在绝缘材料的背面加上一;磁控溅射可溅射各种合金和难熔金;平板型磁控溅射源示意图由于在阴;真空蒸发与溅射成膜的比较蒸发溅;合金化目的：使接触孔中的铝与硅;五、刻蚀选用适当的腐蚀剂，将掩;VLSL对图形转移的要求---;VLSL对图形转移的要求---;VLSL对图形转移的要求---;VLSL对图形转移的要求---;VLSL对图形转移的要求---;刻蚀方法--湿法刻蚀? 湿法刻;刻蚀方法-- 干法刻蚀? 特点;物理性刻蚀? 机理：利用辉光放;? 机理：利用等离子中的化学活;物理化学性刻蚀? 机理：物理性;? 离子轰击的作用：1.将被刻;DRIE、ICP刻蚀工艺妇悉舞;六、 净化和清洗清洗：除去器件;清洗液有机溶剂：去除有机杂质（;一般清洗技术工艺清洁源容器清洁;净化保证半导体工艺环境保持洁净;七、键合、装配和封装当单独硅片;集成电路封装工艺流程俄铜泽选瓤;各种封装类型示意图索彪认陈访绳;安全知识气体安全：氢气、硅烷、;作业主要有那两种掺杂工艺，各有