GaN材料的CMP加工机理与工艺技术研究（可编辑）.docVIP

GaN材料的CMP加工机理与工艺技术研究 , , 、 、?. ,., ,., .,,, / . , . , : .,、 、 , , , ;., ,, . ,;弱 . 、? 、 , , ; , ;, . ; . .., , . : , , , , 浙江工业大学硕士学位论文 目 录 摘 要??..? 】?.. 符号说明?Ⅵ 第章绪论.单晶晶体的发展。 . 晶体材料的制备? .. 晶体的生长? .. 晶体的刻蚀技术. 晶体的材料特性? .. 晶体的物理特性.. 晶体的化学特性??. .. 晶体的结构性质??. . 晶体的加工技术及国内外的研究现状?. .. 晶体的加工技术??.. ..加工方法的国内外研究现状??. . 晶体的应用 .课题研究内容及意义? 第章单晶晶片研磨抛光加工机理分析.磨削颗粒接触的数学模型..摩擦磨损机理.. 加工中磨粒接触模型??. .单颗粒磨粒的去除机理分析? .. 参与磨削磨损颗粒的理论分析? ..单颗粒磨粒凹进深度的理论计算 ..单颗粒对材料去除率的影响.晶片表面软质层的形成及对材料去除的影响??.. .. 晶片表面软质层的形成? ..表面软质层对材料去除的影响? .本章小结 第章晶片加工工艺试验. . 晶片的研磨抛光实验方案??. 目 录 .加工工艺参数的选取.. ..研磨工艺参数的选择..抛光工艺参数的选择.研磨抛光液的选择?.. . 加工均匀性分析 .本章小结 第章单晶晶片亚表面损伤检测的试验研究.. . 射线光电子能谱仪的检测? .. 射线产生原理及射线谱.. 射线光电子能谱仪分析技术? . 晶片表面性能测试分析。 .. 纳米压痕测试分析 ..纳米划痕的测试分析.晶片亚表面损伤层的分析?。 .. 晶面对亚表面损伤层的影响..加工中晶片易产生的亚表面的损伤.本章小结 第章工艺参数对晶片表面质量影响的检测分析.金相显微镜的表面质量检测.. . 仪器对晶片表面微型轮廓的检测.. 仪器的工作原理?.. ..对晶片表面微型轮廓的检测 ..对晶片表面划痕轮廓深度的检测 ..对晶片表面损伤轮廓高度的统计 .白光干涉仪对加工晶片表面粗糙度的检测分析?.. .. 白光干涉仪工作原理.对晶片表面粗糙度的检测分析? .本章小结??.. 第章总结与展望...??. .总结.进一步工作展望 参考文献??...? 致谢.??.?.??..... 攻读学位期间参加的科研项目和成果?。 浙江工业大学硕士学位论文 符号说明 肛接触面摩擦力 彳,一工件表面真实接触面积 Ⅳ.厂加载载荷 口一摩擦表面物理性能系数 脚尺一材料的去除率 励一摩擦表面力学性能系数 彳,一抛光垫与工件的实际接触面积 一化学成膜密度比率 一抛光垫与工件的名义接触面积 一不同晶体硬度与硅片硬度比值 卜工件与抛光垫之间的相对速度口一磨粒的平均直径 彳一磨粒嵌入工件表面的实际深度 卜抛光液中磨粒的体积浓度 一磨粒嵌入工件表面的相对深度 ,一恒定压力 刀一单位抛光垫的划痕数量 ‖一抛光垫划痕曲线平均半径 办一压力下抛光垫与工件的平均宽度 ‰一抛光垫与工件综合模量 如一抛光垫与工件综合弹性模量 一抛光液中颗粒的数量密度 盯一抛光垫表面高度差的分布情况 一抛光液密度 昂一单颗粒塑性接触受力 风一抛光液中颗粒的数量密度 一工件与抛光垫理论平均接触压力 尸,一工件与抛光垫的实际压力 №一工件与抛光垫间的实际接触颗粒数量Ⅳ参与磨削颗粒数量 一加工区域材料的去除面积风,一晶体的表面硬度 △一磨粒凹入晶片内的横截面积 ‰一磨粒与抛光垫的接触弦长 一单个磨粒材料的去除率 一晶体表面材料的去除率 %一材料去除的总高度 一软质层的厚度 一磨粒最大直径长度 一晶片划痕的深度 一电子电荷 一光速 厶一光电子动能 所加一射线波长 一弹性模量 例一原子结合能 厶一最大的压力载荷 以一最大变形量 。\.浙江工业大学硕士学位论文 论 第章绪 . 单晶晶体的发展 以元素为代表的第一代和以为代表的第二代半导体材料,它们的发展推动 了微电子技术、光电子技术的发展,但由于材料本身的限制,第一代、第二代半导体只 能工作在℃以下的环境中,且抗辐射、耐高压击穿性能及发射可见光波长范围都不 能完全满足现代电子技术发展对高温、大功率、高频、高压以及抗辐射等新要求【】。以 为代表的第三代半导体材料因其具有良好的光学性能和物理化学性能,且近几年对 它们的材料生长、掺杂及器件工艺的研究取得了突破性的进展,、、 及等基族氮化物材料在各国都倍受重视。 是由等人在年合成的一种Ⅱ.族化合物半导体材料。年, 等人尝试将气体通过高温的表面生长出了热力学较稳定的结构。 年,等人通过气相沉淀法在蓝宝石上成功制备了单晶晶体薄膜,给这种材 料带来了新的希望【】。但在此后很长时期内,材料由于受没有合适的衬底材料