第二章载流子的统计分布.docVIP

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2018-05-22 发布于四川
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第二章载流子的统计分布.doc

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第二章载流子的统计分布实验证明，半导体的导电性强烈地随着温度和杂质含量的变化而变化，这主要是由于半导体中的载流子浓度随着温度和杂质含量变化的结果。这一章我们要解决的问题是如何计算半导体中的载流子浓度以及讨论载流子浓度随着温度和杂质含量变化的规律。载流子浓度，即单位体积中的电子数目和空穴数目，涉及到两个问题，其一是半导体中能容纳载流子的状态数目即状态密度，其二是载流子在状态中的分布—分布函数。载流子在状态中的分布问题属于量子统计的问题。 2.1 状态密度(state density) 在半导体中既存在能带又存在由杂质和缺陷在禁带中引起的分立的能级，因此状态密度涉及到能带中的状态密度和分立能