模拟电子技术试卷6.docVIP

洛阳师范学院 — 学年第 学期期末考试 专业 级 模拟电子技术 试卷六 题 号 一 二 三 四 五 总分 得 分 得分 评卷人 一、单项选择题（每题2分,共20分） 1．单管共射放大电路中，若输入电压为正弦波，在中频通带内用示波器观察和的波形，则和的相位（ ）。 A. 同相 B. 反相 C. 相差90o D. 不变 2．一个实际的正弦波振荡电路的组成为（ ）。 A. 放大电路和反馈网络 B. 放大电路和选频网络 C. 放大电路、反馈网络和稳频网络 D. 放大电路、反馈网络、选频网络和稳幅环节 3．考虑了前后级之间的相互影响的各级增益分别为，，A. 1800 dB B. 80 dB C. 600 dB D. 60 dB 4．多级直接耦合放大器中，影响零点漂移最严重的一级是（ ）。 A. 输入级 B. 中间级 C. 输出级 D. 增益最高的一级 5．要使电压放大器具有较强的带负载能力，放大器的输出电阻应（ ）。 A. 小些为好 B. 大些为好 C. 不小不大为好 D. 与无关 6．放大电路如图1所示，要使静态工作点 Q上移, 应使（ ）。 A. 增大 B. 减小 C. 减小 D. 增大 图1 图2 7．图2所示电路中，若，,则输出电压中的直流电压等于（ ）。 A. 4.5V B. 9V C. 12V D. 6V 8．对图3所示复合管说法正确的是（ ）。 A. 复合管的等效类型为NPN型 B. 复合管的等效类型为PNP型 C. 复合管的 D. 复合管的 图3 图4 9．某差动放大电路的差模电压放大倍数，共模电压放大倍数，则其共模抑制比KCMR=（ ）。 A. 10dB B. 20dB C. 30dB D. 40dB 10．已知某MOS场效应管的转移特性如图4所示，试判断该场效应管的类型为（ ）。 A. N沟道增强型MOS场效应管 B. N沟道耗尽型MOS场效应管 C. P沟道增强型MOS场效应管 D. P沟道耗尽型MOS场效应管 得分 评卷人 二、填空题（每空1分，共10分） 1. 已知输入信号中有用信号的频率范围为10kHz～12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用 滤波电路。 2. 在RC桥式正弦波振荡电路中，若串并联选频网络中的电阻均为，电容均为，则其振荡频率 。 3. 为使运放电路稳定地工作在线性区，应在电路中引入深度 反馈。 4. 齐纳二极管是一种特殊二极管，常利用它在 状态下的恒压特性来构成简单的稳压电路。 5. 放大电路静态工作点不稳定的原因主要是由于受 的影响。. 某放大电路的对数幅频特性图如图5所示，则该电路的上限截止频率为 ，下限截止频率为 ，通带增益为 dB。 图5 图6 图7 7.若图6