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Copyright @2010 Altusvia Energy Co., Ltd. All rights reserved. 奥特斯维能源(太仓）有限公司 Altusvia Energy Co., Ltd. Add 88 Pingjiang Road , Taicang Port Development Zone, Jiangsu P. R.China,215434 江苏太仓港港口开发区平江路88号 Tel +86-512Fax +86-512 Copyright @2010 Altusvia Energy Co., Ltd. All rights reserved. 报告人：庄丽娜 2010年12月 K+P车间生产规范操作培训报告 刻蚀、清洗和镀膜工艺原理 PECVD车间各工序标准操作及注意事项 概述 目的：去除太阳能电池的周边结，从而减少漏电，提高并阻值 根源：扩散过程中，硅片的表面及周边形成了N型结，相当于将电池片正负极接通，从而造成并联电阻很低，全部为18#片； 原理：在射频功率的激发下，低压反应气体电离并形成等离子体 （等离子体是由带电的电子和离子组成，反应气体在高能电子的撞击下，除了转变成离子外，还能吸收能量并形成大量的活性基团，有利于刻蚀反应的进行） N-type emitter P-type backgroud N型漏电通道 等离子刻蚀结构示意图（刻蚀前） 等离子刻蚀结构示意图（刻蚀后） 等离子刻蚀原理 湿法刻蚀原理 * Si + HNO3 + HF →H2SiF6 + HNO2 + H2O + H2 ↑ 背结与下方HF/HNO3药液接触，通过腐蚀背结达到绝缘化目的 KOH处理 纯水喷淋 磷硅玻璃来自POCl3扩散过程： 进一步 PSG的去除： 六氟硅酸为可溶性的络合物 PSG清洗工艺原理 捷佳创PSG清洗各槽基本功能 低压时，射频激发使NH3和SiH4电离，在硅片表面沉积一层氮化硅薄膜SiNx:H 多晶膜厚目标82nm, 控制限80－84nm，Spec限77－87nm； PECVD SiN薄膜工艺控制要求 生产违规操作 S：流程单未准确填写对应机台、生产时间(尤其是OTB) T：OTB镀膜后传印刷不按流程单混传 U：每两小时未将下料台的皮带擦拭一遍 V: 酒精直接喷至花篮底座及溅至硅片表面 W: 装库存时手拿硅片装篮 X：管式PECVD选错工艺 Y：管式装片装反 Z：管式PECVD乱送流程单至质检处测片 AA: 生产人员未经工艺允许擅自更改工艺参数 AB：生产人员未经工艺允许擅自将实验片下传 AC：乱涂乱画后的纤维纸仍然继续接触硅片 AD：非办公区扎堆聊天、追逐打闹 AE：上班期间用手机（班长除外） AF：物品、工装夹具直接放地上 AG：物品未按标识存放在指定位置 AH：机台维护后地面未清扫干净； AI：6S其他 * A：刻蚀手拿装片 B: 刻蚀装篮放反 C: 刻蚀完成后未及时取出刻蚀片夹 D: 传递窗同时打开，直接用手接触刻蚀片夹及硅片表面 E：PSG上料时NTT花篮未侧放 F: 换酸时未将各个槽子溶液排完 G: 吸篮未吸干净（正面齿痕有明显水珠） H: 搬运花篮时单手提装满硅片的花篮 I：下料后至吸篮间隙时间超过1min J: 赤手直接触碰石墨舟 K: 进舟人员在炉门关闭前离开 L：未认真检查石墨舟在小推车上放置的方向和小推车载舟平台的方向 M：返工片清洗后直接镀膜 N：OTB上料篮放反 O：OTB下料装片时手拿硅片装片 P: NTT在热膨胀状态下将花篮硬塞入底座上 Q：不同组硅片之间需用间隔片区分（OTB与GP） R: OTB下料时将各个流程单混传 传递窗不可同时打开； 刻蚀接片_注意事项 √ × 不允许赤手接触刻蚀片夹； ——赤手接触刻蚀片夹会污染片夹，影响电池片的品质； 刻蚀接片_注意事项 √ × 注意在观察窗中观察辉光颜色是否为乳白色和托盘是否正常旋转； ——辉光颜色不正常及托盘没有正常旋转会影响刻蚀效果，会形成刻蚀不净，造成等外片； 刻蚀过程_注意事项 √ × 对每组硅片周边并取上、中、下三片进行PN型检测； ——检查有无刻蚀干净的方法； 刻蚀效果检验_注意事项 清洗接片时需仔细检查是否装错或装到同一篮齿； ——防止清洗时粘片； PSG清洗前检查_注意事项 × √ 禁止手拿硅片及赤手拿花篮，并使用双手搬运装满硅片的花篮； ——防止摔片； PSG清洗过程_注意事项 √ × PSG清洗不净_注意事项 这里用SiO2的亲水性与硅的不亲水两种截然不同的性质来判断，将硅片放入水中然后慢慢提出： 如果表面沾水，则不合格 如果表面不沾水，则清洗干净