背面硅腐蚀机台.pptVIP

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2018-05-06 发布于四川
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背面硅腐蚀机台.ppt

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* 8英寸半自动背面硅腐蚀酸槽概述 1. 设备的布局 2. 腐蚀的基本概念 3. 背面硅腐蚀设备的布局 HF氧化层去处硅腐蚀 IPA干燥氢氟酸槽硅腐蚀槽 IPA干燥槽腐蚀的基本概念腐蚀有三个步骤组成: – 大量的反应物传输到圆片表面进行腐蚀 – 反应物与圆片表膜进行反应 – 反应后生成物脱离圆片,达到腐蚀目的. 圆片薄膜扩散扩散反应生成物反应反应物分界线扩散扩散背面硅腐蚀背面金属工艺圆片需经过减薄，主要是用Grinding的方法，但是Grinding是物理减薄，会带来磨轮缺陷和减薄应力，物理减薄后再通过化学的方法腐蚀掉表面一层Si，就可以消除磨轮缺陷，降低减薄应力，而且特殊的药液还会形成粗糙的表面，增加背面金属黏附性：化学反应：开始反应: Si + 4HNO3 ? SiO2 + 2H2O + 4NO2 (Slow) 后续反应: 2NO2 + H2O ? HNO2 + HNO3 主要反应 I: Si + 4HNO2 ? SiO2 + 2H2O + NO (Fast) 主要反应 II: HNO3 + 2NO + H2O ? 3HNO2 氧化层的分解: SiO2 + 6HF ? H2SiF6 + 2H2O 可在体系中加入CH3COOH起缓冲作用，使腐蚀速率保持稳定。 *