场效应管放大电路教学课件PPT汇总.ppt

* * * 低频互导gm 交流参数 考虑到 则 其中 增强型MOS管特性小结 绝缘栅场效应管 N 沟 道 增 强 型 P 沟 道 增 强 型 二、耗尽型MOSFET(DMOS) N沟道耗尽型MOS管，它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子，在管子制造过程中，这些正离子已经在漏源之间的衬底表面感应出反型层，形成了导电沟道。 因此，使用时无须加开启电压（VGS=0），只要加漏源电压，就会有漏极电流。当VGS＞0 时，沟道变宽，将使ID进一步增加。VGS＜0时，沟道变窄，随着VGS 的减小ID 逐渐减小，直至 ID=0。对应ID=0 的 VGS 值为夹断电压 VP 。 耗尽型MOSFET的特性曲线 绝缘栅耗 尽 型 N 沟 道 P 沟 道 绝缘栅 增强 型 N 沟 道 P 沟 道 绝缘栅耗 尽 型 N 沟 道 P 沟 道 （DMOS） （EMOS） 4.3.3各种FET的特性比较P173～175表 由电压极性判FET的类型: 规律: VDS极性决定于沟道性质 N沟道:+ P沟道:- VGS JFET:与VDS极性相反 EMOS:与VDS极性相同 DMOS: VGS可+,-,0 N沟道:VP-;P沟道:VP+ N沟道:VT+;P沟道:VT- N沟道:VP-;P沟道:VP+ 三、场效应三极管的参数和型号 1、 场效应三极管的参数 1）开启电压VT 、VGS(th) 开启电压是EMOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 2）夹断电压VP 或VGS(off) 夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VP时,漏极 电流为零。 3）饱和漏极电流（零偏漏级电流）IDSS 耗尽型场效应三极管, 当VGS=0时所对应的漏极电流。 4）直流输入电阻RGS 场效应三极管的栅源等效电阻，结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω；由于MOS管栅源间有sio2绝缘层，绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109～1015Ω。 5）低频跨导gm 低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用，gm可以在转 移特性曲线上求取，单位是mS (毫西门子)。 6）极限参数PDM、IDM、 V(BR)DS、V(BR)GS 最大漏极功耗可由PDM= VDS ID决定，与双极型三极管的PCM相当。 7）极间C：CGS，CGD，CDS 2、 场效应三极管的型号 1）命名方法一是与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表材料，D是硅N沟道；C是硅P沟道。如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。 2）第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。 几种常用场效应三极管的主要参数 双极型三极管与场效应三极管的比较 双极型三极管 场效应三极管 结构 NPN型 结型 N沟道 P沟道 与 PNP型 绝缘栅 增强型 N沟道 P沟道 分类 C与E一般不可 绝缘栅 耗尽型 N沟道 P沟道 倒置使用 D与S有的型号可倒置使用 载流子 多子扩散少子漂移 多子漂移 输入量 电流/电压输入 电压输入 控制 电流/电压控制电流源 电压控制电流源 噪声 较大 较小 温度特性 受温度影响较大 较小，且有零温度系数点 输入电阻 几十到几千欧姆