微电子工艺学课件9.pdfVIP

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2018-04-18 发布于未知
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微电子工艺学课件9.pdf

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微电子工艺学第一章绪论第二章现代CMOS 工艺技术第三章晶体生长与衬底制备第四章加工环境与基片清洗第五章光刻第六章热氧化第七章扩散掺杂第八章离子注入掺杂第九章薄膜淀积第十章刻蚀第十一章后段工艺与集成 11 第九章薄膜淀积 9.1 概述对淀积薄膜的要求或希望其具有的特性： Many films, made of many different • 正确可控的组分； materials are deposited during a • 高表面洁净度，低缺陷密度； standard CMOS process. • 高度结构完整性； • 均匀厚度（across wafer, and wafer- to-wafer ），高表面平坦度； • 良好电学和机械性能； P+ N P+ N+ P N+ • 良好空隙填充/ 台阶覆盖（conformal N Well P Well coverage ）； • 可用光刻技术刻蚀出精细图形； P • …… 2 Metal line Contact hole h h h Aspect ratio = AR = ↑ w w w with feature size ↓in ICs. a b Year of Production 1998 2000 2002 2004 2007 2010 2013 2016 2018 Technology N ode (half pi tch) 250 nm 180 nm 130 nm 90 nm 65 nm 45 nm 32 nm 22 nm 18 nm MPU P