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微电子工艺学 第一章 绪论 第二章 现代 CMOS 工艺技术 第三章 晶体生长与衬底制备 第四章 加工环境与基片清洗 第五章 光刻 第六章 热氧化 第七章 扩散掺杂 第八章 离子注入掺杂 第九章 薄膜淀积 第十章 刻蚀 第十一章 后段工艺与集成 1 第四章加工环境与基片清洗 4.1 概述 4.2 环境净化 4.3 硅片清洗 4.4 吸杂 4.5 测量方法 2 4.1 概述 随着器件尺寸缩小，污染控制的重要性不断增加 1 2 保 证 局部光散射 ≫ 90 栅氧化层完整性 ≫ % 成 品 率 所 必 需 ITRS Roadmap 3 硅片上好的芯片数 成品率 （Yield ）= × 100% 硅片上总的芯片数 百分之一成品率的价值是多少？ 假如整个制造厂的平均成品率是 70 ％ 假如制造厂芯片总收入是 5 亿美元 成品率 70 ％→ 71 ％ 意味着： 多出 1.4 ％的芯片，或是： 增加 700 万美元的收益 成品率每百分之一的提升都有巨大价值！ 4 影响成品率的因素：工艺成熟性、工艺步骤数、硅片直径、芯片尺寸 以及晶体缺陷等。 器件总成品率 = 系统分量和随机分量的乘积（Y = Y ×Y ） total systematic random = 工艺各步骤成品率的乘积（Y = ∏Y ） total i 系统问题: 工艺错误、设备故障、工艺能力局限、起始材料不纯和设 计错误等。 随机问题：保护膜上的针孔、颗粒在硅片上的粘附、金属线的腐蚀等。 Y Y Y random systematic total 工艺成熟性 起步阶段 20 ％ 80 ％ 16％ 上升阶段 80 ％ 90 ％ 72 ％