数字电子技术基础第五版南方医科大学.pptVIP

功能：实现逻辑运算，是构成数字电路的基本单元电路。 3.3 CMOS门电路3.3.1 MOS管的开关特性 一、MOS管的结构 以N沟道增强型为例： 二、输入特性和输出特性 漏极特性曲线（分三个区域） 截止区 恒流区 可变电阻区 漏极特性曲线（分三个区域） 截止区：VGSVGS(th)，iD = 0, ROFF 109Ω 漏极特性曲线（分三个区域） 恒流区： iD 基本上由VGS决定，与VDS 关系不大 漏极特性曲线（分三个区域） 可变电阻区：当VDS 较低（近似为0）， VGS 一定时， 这个电阻受VGS 控制、可变。 三、MOS管的基本开关电路 四、等效电路 五、MOS管的四种类型 增强型 耗尽型 3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理 一、电路结构 3.3.2 CMOS反相器的电路结构和工作原理 一、电路结构 二、电压、电流传输特性 三、输入噪声容限 结论：可以通过提高VDD来提高噪声容限 3.3.3 CMOS 反相器的静态输入和输出特性 一、输入特性 二、输出特性 二、输出特性 3.3.4 CMOS反相器的动态特性 一、传输延迟时间 二、交流噪声容限 三、动态功耗 三、动态功耗 3.3.5 其他类型的CMOS门电路 一、其他逻辑功能的门电路 3.3.5 其他类型的CMOS门电路 一、其他逻辑功能的门电路 带缓冲极的CMOS门 1、与非门 带缓冲极的CMOS门 2.解决方法 高教出版社 《数字电子技术基础》第五版 第三章 门电路 本次课主要内容 CMOS门电路 MOS管的开关特性 CMOS反相器的电路结构和工作原理 CMOS反相器的输入输出特性 CMOS反相器的动态特性 第三章 门电路 门 电 路 按工艺分为两大系列： TTL，CMOS 按功能分： 与、或、非 与非、或非、与或非、异或… S (Source)：源极 G (Gate)：栅极 D (Drain)：漏极 B (Substrate):衬底 金属层 氧化物层 半导体层 PN结 以N沟道增强型为例： 当加+VDS时， VGS=0时，D-S间是两个背向PN结串联，iD=0 加上+VGS，且足够大至VGS VGS (th), D-S间形成导电沟道（N型层） 开启电压 输入特性：直流电流为0，看进去有一个输入电容CI，对动态有影响。 输出特性： iD = f (VDS) 对应不同的VGS下得一族曲线 。 OFF ，截止状态 ON，导通状态 大量正离子 导电沟道 1. 与非门 (a)输入均为高电平 (b)输入中有一个高电平 (c)输入均为低电平 2. 或非门 高教出版社