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高纯钨溅射靶材制取工艺研究
1997 年 4 月 CH INA M OL YBD ENUM INDU STRY A p ril 1997 高纯钨溅射靶材制取工艺研究 郭让民 (西北有色金属研究院 西安 710016) 摘 要 微电子技术、光电技术对钨的纯度要求越来越高, 熔炼钨纯度高但尺寸规格小且加工难度大。 仅对采用粉末冶金法制取高纯钨材工艺试验过程中, 重新氨溶, 中和结晶的除杂效应进行了一些探讨, 对经高真空高温处理后的钨方坯加工性能进行了加工试验, 证明采用重新氨溶、中和结晶、超高真空 高温脱气工艺可有效地去除杂质。高纯钨材质优良、性能稳定、放气量小。 关键词 高纯钨 氨溶 中和结晶 超高真空高温脱气 STUDY ON PREPARATION OF H IGH PURE TUNGSTEN M ATER IAL S Guo R angm in ( , ′ , 710016) N o rthw est In stitu te fo r N onferrou s M etal X i an Abstract It requ ired h igh pu re tungsten w ith developm en t of m icroelectron ic and pho toelectri city tech . , . no logy T he pu rity of sm elting tungsten w as h igh bu t its size w as sm all It w as tested fo r tungsten b lank and indicated that it cou ld rem ove the im pu rity effectively by techno logy of amm on ia neu tralization , neu tralization and crystallization and u ltrah igh tem peratu re, vacuum and degassing. T he h igh pu re tungsten m aterials had good quality, stab le p roperty and a few of air b lood. Key words H igh pu rioy tungsten , Amm on ia neu tralization , N eu tralization and crystallization , U ltrah igh tem peratu re vacuum and degassing 1 前 言 靶材的需求 日益增加。由于钨具有良好的物化性能、 微电子技术、光学和光电子技术的发展, 特别 高熔点、高导电性、高抗电移性、逸出功近于硅的频带 是表面技术和薄膜材料的发展, 对稀有金属于高纯 隙及优良的热稳定性与硅结合性良好, 使钨成为微
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