- 1、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
锁相系统的器件和电路.ppt
螺旋电感 使电感上能量损耗的三个机制: 螺旋电阻的串联 寄生电容和衬底电阻 衬底的磁感应电流 螺旋电感 螺旋电感 特性描述 正因为这些模型都存在着误差,所以有必要制造和描述出单调电感,并用这个结果更改模型,是其变得更好,更精确。 测量电感Q的方法: 螺旋电感 几何模型的选择 螺旋电感 几何模型的选择 螺旋电感 MOS晶体管 因为亚0.1微米工艺的出现,MOSFET的模型在模拟和高频设计中承受了巨大的挑战。 BSIM模型在锁相系统中设计中有着很高的精度,但是在热噪声和闪光噪声方面表现不是特别好。然而这个问题在预测振荡器相位噪声方面至关重要。 沟道电阻引起的热噪声受源漏电流源影响,其谱线密度公式为: 一些MOS模型缺少一个精确的γ参数,所以一般会在模拟时设定一个偏高的γ值。 闪光噪声参数经常通过测量得到 环形振荡器 尽管环形振荡器有相对较高的噪声,较差的驱动能力,但环形振荡器仍然非常通用,原因有以下几点: 有较宽的频带 集成后比LC振荡器面积小 通过标准MOS模型得到较合理准确的预测 环形振荡器 环形振荡器 环形振荡器 衬底噪声形成的两种机制 LC振荡器 LC振荡器相对于环形振荡器的优点: 低相位噪声(在同一频率和能量消耗下)。 更大的输出电压摆幅,有时峰值电压能超过电源电压。 能够产生更高的频率 LC振荡器 LC VCO设计要求精密器件和电路模型的原因: 需要准确预测中心频率 相位噪声受电容,电感和晶体管噪声的影响 螺旋电感占据很大的面积,不能集成在一个单芯片上 LC振荡器 设计例子一般流程 LC振荡器 LC振荡器 LC VCO的调谐范围必须非常宽原因有一下几点: 工艺变异和温度变化 模型的非精确性带来的不确定因素 所需要的有效频率带宽 LC振荡器 数字调谐: 数字调谐机制可以对频率进行粗调,使在更小的范围内进行微调。 LC振荡器 引入粗调需要解决的三个问题 从权衡MOS开关的开启电阻和结电容转换为,权衡Q值和调谐范围。 盲区 回路设置速度 LC振荡器 故离散阶数要足够小 锁相系统的器件和电路 Topics MOS变容二极管 螺旋电感 提高Q和自激振荡频率的几何模型 环形振荡器拓扑结构 LC振荡器设计过程 MOS变容二极管 限制 pn结电容的动态范围的两个因素: 1.在反向偏压时的电容的弱依赖性。例: m 0.3 2.正向偏压时电压控制范围较窄(这点是变容二极管必须避免的)。 使用pn结二极管的LC振荡器 设计时希望节点X,Y处的电压摆幅最大化,这样可以使相位噪声最小化,同时减轻了后续VCO的设计级数。 另一方面,为了避免二极管的正偏, 必须维持在 V以上。则每个节点的峰峰摆幅被限制在0.8V。 注意:二极管的阴极在X,Y处也引入了n阱衬底电容,进一步抑制了调谐的范围。 MOS变容二极管 与pn结二极管相反,MOS二极管不受正偏压影响并且有一个较宽的电容动态变化范围 但该C-V特性曲线非单调且由较高的沟道电阻。 简单MOS管做成的二极管 MOS变容二极管 为了解决这个问题,我们引入了“积聚型”MOS二极管“。 将NMOS管置于n阱,当栅电压变的越来越负时,n阱在氧化层下消耗移动电荷。 则 (氧化层电容和耗尽区电容串联的等效电容)的变化规律如上图。 注意到,如果正向电压很大的时候, 的值接近氧化层电容。 n阱 D,S都为欧姆接触 MOS变容二极管 设计MOS二极管时,必须注意以下两个方面: 在动态范围和沟道电阻之间需要权衡考虑 选用合适的模拟电路模型 MOS变容二极管 动态范围 在典型的0.13μm工艺中,晶体管都有最小沟道长度, 。其中重叠 容为0.4 fF/μm,沟道电容为 12 fF/ 。 若给定沟道宽度,则可以算出重叠电容占总电容的百分比。 重叠电容百分比 在允许电压范围内,沟道受到一些因素影响,则其总的电容动态变化的范围比为 MOS变容二极管 动态范围 为了拓宽二极管的动态范围,可以增加晶体管的长度。 这样做提升了电压灵敏度同时保持重叠电容的值相对不变。 但是这样的改进,导致了源漏之间更高的电阻,降低了Q的值。 如右图,当栅源反向电压达到最大值时,电阻也达到最大值,此时耗尽区的宽度也达到最大。 注意:总的等效电阻与二极管串联时是漏源电阻的1/12。 综合考虑相位噪声和Q值,二极管的长度会
您可能关注的文档
最近下载
- 研究院LNG冷能利用.ppt VIP
- [中央]2024年中国记协新闻培训中心招聘 笔试上岸试题历年典型考题及考点剖析附答案详解.docx
- (陶矜老师课件)股权设计与合伙人激励.pdf VIP
- if与unless专项练习.doc VIP
- 2023年北京市高考化学试卷(解析版).pdf VIP
- 有限空间作业安全管理监理实施细则(新).pdf VIP
- 直播电商与案例分析第10章 农产品直播解析.ppt VIP
- 2023款 R18 B 宝马摩托车 中文 用户保养手册 使用说明书.pdf VIP
- 2022年国家公务员考试《公安专业科目》题(网友回忆版).docx VIP
- USCAR38 超声波焊接技术标准和要求(中文版).pdf VIP
文档评论(0)