LED外延与芯片的技术发展趋势.pdfVIP

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2018-04-06 发布于江苏
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LED外延与芯片的技术发展趋势.pdf

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LED外延与芯片的技术发展趋势 2009.12.16 内容概要  LED外延芯片的发展现状  LED核心技术的发展趋势  垂直薄膜型LED芯片研发现状 LED外延芯片的发展现状国产芯片完成情况形式考核指标完成指标封装（白光）发光效率≥100lm/W 发光效率：90～110lm/W 功率效率≥350mW/W 功率效率: 370～450mW/W 芯片（蓝光） VF ≤3.5V VF ≤3.3V 饱和电流≥700mA 饱和电流≥1000mA －封装白光器件测试结果注：以上由三安提供S-50ABMUP系列芯片，华联封装器件技术特点－正装结构芯片 P-pad  改善型外延结构，提高内量 CBL ITO 子效率 p-GaN MQW N-pad  PSS/PSS+p-rough n-GaN  新颖的DBR/ODR设计，提高取 u-GaN 光效率 sapphire  LBR(Laser Burn Removing)  ITO、CBL工艺优化 SiO 2 TiO /SiO DBR 2 2 Al 产业化水平正装功率型LED芯片最高辐射功率：522mW （蓝灯）最高白光光效：105lm/W@Tc=5240K 典型参数： VF(V)：3.0~3.4 Po(mW)：350 ～450 WLD(nm)：450 ～465 典型光效：90 ～110lm/W 量产良率60 ％产能：2kkpcs /月垂直结构功率型LED芯片最高辐射功率：373mW （蓝灯）最高白光光通量：103lm@Tc=6810K 国内外功率型芯片技术水平现况统计更新至2009年9月厂商产品特点