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SVF5N60T/F/D/MJ 说明书 5A、600V N沟道增强型场效应管 描述 2 SVF5N60T/F/D/MJ N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体 管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。 1 先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电 阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 3 TO-252-2L 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换 1.栅极 2.漏极 3.源极 器,高压 H 桥 PWM 马达驱动。 特点 TO-251J-3L ∗ 5A,600V,RDS(on)= 1.88Ω@VGS=10V 1 1 ∗ 低栅极电荷量 2 3 2 3 ∗ 低反向传输电容 TO-220F-3L TO-220-3L ∗ 开关速度快 ∗ 提升了 dv/dt 能力 命名规则 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 材料 包装形式 SVF5N60T TO-220-3L SVF5N60T 无铅 料管 SVF5N60F TO-220F-3L SVF5N60F 无铅 料管 SVF5N60D TO-252-2L SVF5N60D 无铅 料管 SVF5N60DTR TO-252-2L SVF5N60D 无铅 编带 SVF5N60MJ TO-251J-3L SVF5N60MJ 无铅 料管 版本号:1.2 2011.09.13 共10页 第1页 SVF5N60T/F/D/MJ 说明书 极限参数(除非特殊说明,T =25°C) C 参数范围 参 数 名 称 符号 单位
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