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锑化铟InSb薄膜磁敏电阻-青岛泰润电子科技有限公司
青岛泰润电子科技有限公司 QingdaoTrionsElectronicsTechnologyCO.,LTD 锑化铟（InSb）薄膜磁敏电阻 锑化铟薄膜磁敏电阻是本公司的核心产品，是磁敏电阻类传感器的核心敏感元件。其阻值R随 垂直通过它的磁通密度B的变化而变化。利用此特性可方便地以磁场为媒介，在非接触情况下将位 移、位置、转速、角度等非电量转变成电量，从而对非电量进行测量和控制。 产品简介 锑化铟薄膜磁敏电阻是本公司的核心产品，是锑化铟薄膜磁敏电阻类传感器的核心敏感元件， 它具有灵敏度高、可靠性高、性价比高、无接触测量、频响宽（0－100kHz）、使用方便等特点。 在如高速测量、角度控制、位置控制、信号跟踪等领域，采用锑化铟薄膜磁敏电阻传感器常常是理 想的解决方案。 工作原理 锑化铟薄膜磁敏电阻是利用锑化铟薄膜的磁阻效应而制作的一种新型敏感元件，它的阻值R随 垂直通过它的磁通密度B的变化而变化：B0.1T时，R∝；B0.1T时R∝B；B＝0.3T时2.0，如 下图所示。利用此特性可方便地以磁场为媒介在非接触的情况下将非电量（如位移、位置、转速、 角位移、压力、加速度等等）转变成电量，从而对非电量进行测量和控制。 磁阻随磁场强度变化曲线 地址：青岛市崂山区海尔路57号创业中心1号楼2楼 Tel:0532/Fax：0532 e-mail:info@ 青岛泰润电子科技有限公司 QingdaoTrionsElectronicsTechnologyCO.,LTD 产品内部芯片构成图 锑化铟薄膜磁敏电阻的生产采用先进的薄膜生产及平面光刻工艺，其图形、尺寸、阻值可根据 需要灵活设计。我公司现有磁敏电阻产品如下： 产品型号及参数 型号 尺寸（mm） 阻值（Ω） 灵敏度 工作温度 最大工作电流 不对称性 MR-L-1 3.8×1.8 1×（100～2000） 2.0 -20～80℃ 15mA MR-L-2A 4.5×3.5 2×（300～3000） 2.0 -20～80℃ 15mA 10% MR-L-2B 3.0×2.5 2×（300～3000） 2.0 -20～80℃
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