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表面物理导论IIb
主要内容 但是,有时并不尽然。 激活能随团簇的尺寸发生振荡 团簇扩散——“个体”机制 跳背 跳背 Pt(100)-2x1 Pt4 cluster 团簇扩散——合作机制 整体滑移 剪切-单个滑移 爬行,逐段依次连续剪切 堆积错误,位错 团簇扩散——毛毯伸展机制 第一层原子化学吸附不能移动; 第二层原子物理吸附可以移动; 第二层原子移动到第一层的边缘,变为第一层原子。 §5 表面上的基本过程 II —— 成核与薄膜生长 薄膜生长的七个阶段: 1. 着陆;2. 结合(物理吸附化学吸附);3. 表面扩散;4. 成核;5. 成岛;6. 合并;7. 连续生长 1、表面成核 原子从气相到达表面的速率为R 设在n0个表面格点上有n个吸附原子,其束缚能为 原子在表面上的扩散系数为: 但是,下列过程可能会终止原子的扩散: 再蒸发;被缺陷和台阶俘获;与其它原子结合成团簇。 团簇:小的团簇是亚稳态,可能重新分解为原子。 团簇的临界尺寸:团簇所含原子的最小个数,大于此数时团簇才是稳定的。 2、关于核密度速率方程 rate equation 考虑一个nj cluster 的形成速率和衰减速率 影响 nj 的四个过程: 一个原子到达 j-1 cluster; 一个原子离开 j+1 cluster. 一个原子达到 j cluster;j+1 一个原子离开 j cluster; j-1. 速率方程 低覆盖度区L:原子密度远高于岛的密度 中覆盖度区I:原子密度下降,岛密度增加 聚集区A:岛的间隔等于原子的平均自由程,岛的密度饱和 合并融合区C:所有的岛联合在一起,薄膜形成。 三个区: 原子密度和温度无关,原子入岛。 岛的临界尺寸 i = 1 岛的临界尺寸 i = 3 3、岛的形状 岛的两种基本形状: 分枝岛:分形,树枝,岛的边缘粗糙 2. 密致岛:方形,长方形,三角,六角, 岛的边缘较直,顶角相等 分枝岛: 当hit-stick模式下,原子到达岛位后停留不动,会形成极薄的树枝岛,最薄处为一个原子。 产生于低温衬底,沿岛边扩散非常缓慢。 根据DLA (diffusion-limited aggregation) model ,岛边扩散愈速度越大,分形岛的平均树杈厚度越大。 如果原子不跨顶角扩散,则岛的形状会出现树枝状。 如果原子沿岛边扩散,并跨越顶角,则会形成密致岛。 低温生长245K:Pt on Pt(111): 三角形分形岛 实验STM图像 理论模拟 改变衬底温度,分形岛转变为密致岛 Pt on Pt(111),温度升高导致跨角扩散几率增大 岛的平衡形状,反映了各台阶自由能的各向异性。 Wulff定理:岛心到岛边之比正比于其单位长度的自由能之比。 幻数岛,神奇岛 4、岛的合并 粗糙化 coarsening 通过降低低岛的数目岛,来增加岛的平均尺寸。 主要有两种机制:合并coalescence;成熟 ripening。 合并coalescence 空位岛的合并——Pt(111) 成熟 Ostwald ripening 成熟是一个热力学驱动过程,降低岛边的自由能。 根据Gibbs-Thompson关系,圆形岛的化学势为: 半径小的岛化学势大,粒子将流向化学势低的大岛上。 大岛 “吸” 小岛 5、薄膜生长 a. 薄膜生长模式 平衡生长:3 种模式 原子与衬底结合大于原子间结合, 快速扩散 原子与衬底结合小于原子间结合, 扩散较慢 平衡生长: 5 种模式 (a) ?? ? 0, F-M mode, 2-D growth is favored. (c) ?? 0, V-W mode, 3-D growth is favored. (b) ?? from “-” to “+”, S-K mode, 2-D to 3-D. 表面自由能 ?? = ?A+ ?I - ?S * 表面物理基础 1. 表面对称性及实验基础 2. 表面分析技术-衍射和显微镜 3. 表面的原子结构及缺陷 4. 表面上的基本过程-1: 吸附和扩散 5. 表面上的基本过程-2: 成核与薄膜生长 §4 表面上的基本过程 I: 吸附和扩散 desorption islands diffusion nucleation deposition downward diffusion edge diffusion 吸附,脱附,扩散,成核,生长 1、物理吸附 一、吸附 没有电荷转移; 范德瓦尔斯作用; 没有势垒,不需热激活; 一般可多层吸附 可逆过程; 对表面对称性不敏感; 3? 分子不被分解 2、化学吸附 有电荷转移; 化学键或离
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