外腔中半导体二极管激光阵列的高阶侧模锁定-强激光与粒子束.PDFVIP

第 卷 第 期 强 激 光 与 粒 子 束 , 18 4 Vol.18 No.4 年 月 , 2006 4 HIGH POWER LASER AND PARTICLE BEAMS A r.2006 p 文章编号: ( ) 1001-4322200604-0539-03 外腔中半导体二极管激光阵列的高阶侧模锁定* 1 1 1 2 1 1 钱凌轩 , 施鹏程 , 陈建国 , 严地勇 , 杨 华 , 陈海波 ( 四川大学电子信息学院,成都 ; 中国工程物理研究院应用电子研究所,四川绵阳 ) 1. 610064 2. 621900 摘 要: 理论分析了外腔较短情况下,宽条半导体二极管激光阵列( )高阶侧模相位锁定的可能性, LDA 观察了包含主、旁瓣结构的多侧模远场光强分布。从实验记录结果可以看出,在旁瓣中出现了标志锁相的峰、 谷结构,而且该结构的调制度明显高于主瓣中的峰、谷结构的调制度,结果表明:在外腔较短情况下, 高阶 LDA 侧模相位锁定的现象是存在的。 关键词: 半导体二极管激光阵列; 高阶侧模; 外腔; 相位锁定 中图分类号: TN248.4 文献标识码: A [ ] 在半导体二极管激光列阵( )的许多应用领域中,都要求 有稳定的高功率输出 1-3 。为了达到这 LDA LDA 一目的,通常可以采用增大发光区宽度的办法。与此同时,为了解决散热等一系列问题,发光单元间的距离不 [ ] 得不相应地增大 4 。单元间距的增大使得发光单元间不再有实质性的光学耦合,在这种情况下,发光单元变成 了独立的激光器,这使得 LDA 的输出相干特性变差,在一定程度上限制了其在相干光通信等领域中的应用。 [ ] 实践表明,可以采用外腔技术来改善 LDA 的特性5-6 。利用外腔反射镜可以使某一发光单元发出的一部分