[工学]西安交大模电课件第2章3.ppt

当C2C1时 · · · 式中 为由C2引起的附加相移。 · · · · · · ? 即C1的影响可以忽略时 知当 时 同理由 · · · · 故 为仅考虑 时放大电路的下限截止频率 故 旁路电容是影响电路低频性能的主要元件。 一般情况下，由于 即 旁路电容折算到输入端的等效电容很小。 3．高频区的频率响应和上限截止频率 + _ T + _ + + + + _ · · · 高频等效电路 对 密勒等效 . . + e + + _ . _ + _ c _ . . . . · + _ T + _ + + + + _ · · 对输入回路简化、等效 Ci=CM+Cbe + + + _ . _ + _ c _ e ? . . . . . . . + e + + _ _ + _ c _ . . . . . . 戴维南等效 . . e + + _ _ + _ c ? . . . . . + e + + _ _ + _ c _ . . . . . . 对输出回路简化、等效 e + + _ _ + _ c ? . . . . e + + _ _ + _ c ? . . . . 将电流源转换为电压源 e + + _ _ + _ c ? . . . . ? e + + _ _ + _ c + _ . . . . 由图可知 · · · · · · ? e + + _ _ + _ c + _ . . . . 高频区电压放大倍数 · · · · · · · · · · · 由于 · · · · ? e + + _ _ + _ c + _ . . . . . · 令 、 分别为输入、输出回路的时间常数 · · ? e + + _ _ + _ c + _ . . . . 或 那么 故 · · · · 当Ci＞＞Co 即Co的影响可以忽略时 · · · 其中 为由Ci引起的附加相移。 ? e + + _ _ + _ c + _ . . . . 知当 时 故 fH1为仅考虑Ci时放大电路的上限截止频率。 · · 由 · · 当Co ＞＞Ci时 即 Ci的影响可以忽略时 · · · 其中 为由Co引起的附加相移。 ? e + + _ _ + _ c + _ . . . . 知当 时 故 fH2为仅考虑Co时放大电路的上限截止频率。 · · · · 名词： 惯性环节——含惯性元件的回路。 惯性元件——指其能量不能突变的元件(如电容）。 当低频区只考虑一个电容C1或C2 放大电路的电压放大倍数可表示为 高频区只考虑一个电容Ci 或Co 即当低、高频区的等效电路都只含一个惯性环节时 · · 0 ˙ 这种图形称为波特图 当 时 即实际值比 小3dB ˙ 0 ˙ 实际的幅频曲线 fβ称为晶体管的共射极截止频率 由 可知 ˙ 当f=fβ时 ˙ b) 画相频特性曲线 由相频特性 知 当 ff? (实际只要f0.1f? )时 当 ff? (实际只要f10f? )时 当 f=f? 时 实际上当f=0.1f? 或f=10 f?时 或 由以上讨论可画出 的相频特性 ˙ (2) 晶体管特征频率fT 当f=fT时， ˙ 由于 定义 故 fT是衡量晶体管高频特性的最常用指标 由 得 可见f?和fT都与晶体管的静态工作点有关 （3）晶体管电流放大倍数 ?= ? ( f ) · 可以证明 式中 ?0——晶体管共基极低频电流放大系数 f ?——晶体管共基极截止频率 · 得晶体管共基极截止频率 由 与 的关系 通常将 的晶体管称为高频管 将 的晶体管称为低频管 将 代入上式 ˙ 晶体管共基极截止频率 特征频率 fβ、fT和f a之间的关系为 (4) fβ、fT和f a的关系 2.8.4 单管共射极放大电路的频率响应 单管共射极放大电路 电路中存在的电容： a. 耦合电容、旁路电容 b. 结电容、极间电容、分布电容及负载电容等 + _ T + _ + + + + _ · · · 不同电容对电路性能的影响 a. 耦合电容、旁路电容较大，主要影响电路的低频性能。 b. 结电容、极间电容及分布电容等很小，主要影响电路的高频性能。 + _ T + _ + + + + _ · · · 不同频率区域对电容的处理原则 a. 低频区 考虑耦合电容、旁路电容的作用。 结电容、极间电容及分布电容等小电容视为开路。 b. 中频区 耦合电容、旁路电容视为短路。 结电容、极间电容及分布电容等仍视为开路。 + _ T + _ + + + + _ · · · c