[工学]5-6学时第三章 二极管电路模型和稳压管.pptVIP

* 3.5.2 变容二极管 对数坐标 在高频技术中应用较多。 例如：彩色电视中的电子调谐器，通过直流电压的控制改变二极管的结电容从而改变振荡频率，实现频道选择。 课下请看例题：3.5.1，掌握稳压管应用电路的计算。 * 3.5.3 肖特基二极管 （a）符号 （b）正向V-I特性 特点： 1、电容效应非常小，适合高频和开关状态应用； 2、正向导通电压低，反向击穿电压低。 * 3.5.4 光电子器件 1、光电二极管 器件的PN结工作在反向偏置状态，电流随光照强度的增加而上升。 无光照 * 2、发光二极管 发光二极管常做为显示器件，另一种重要用途是将电信号变为光信号，通过光缆传输，然后再用光电二极管接收，再现电信号。 * 2. 激光二极管 （a）物理结构 （b）符号 在小功率光电设备中得到广泛应用。如：计算机的光盘驱动器，激光打印机的打印头等….. * 第三章 结束 * 点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后，再通过电流法而形成的。因此，其PN结的静电容量小，适用于高频电路。但是，与面结型相比较，点接触型二极管正向特性和反向特性都差，因此，不能使用于大电流和整流。因为构造简单，所以价格便宜。对于小信号的检波、整流、调制、混频和限幅等一般用途而言，它是应用范围较广的类型。 * VT=kT/q=26mv。温度的电压当量。K：波尔兹曼常数，为1.38*10-23J/K。q: 电子电荷1.6*10-19库仑。Is反向保和电流，对分立元件:10-8A-10-14A。 * IF:最大正向平均电流(管子的问题）。由正向导通变为反向截止时因为扩散电容的影响，会有较大的反向电流。 * * 非线性电路的分析方法：………… 图解法是解决非线性电路常用的一种方法。 * 应用此模型时，电路中的电流较大？ * 折线模型体现出二极管的管压降不是恒定的，描述更为真实。折线模型是直流模型，rD不是交流电阻。当研究交流通路时，将直流电压源短路，rD用rd代替。 * 注意：上面公式中的iD和vD分别是静态和动态值的叠加。 小信号模型是针对变化量而言的，直流与求小信号的变化量没有直接的关系。 * 由上面的最后一个公式可以看出， 小信号是以直流工作工作点为基础，小信号前提下在Q点附近的非线性变化近似为线性的变化。 注意：上面公式的推导，是研究在直流点附件的小信号的变化情况。 * 若按时间来展开，当?vD和?iD趋近无穷小时，它们即为交流信号的瞬时值。让同学讨论？ * VDD=1V 时与二极管的导通电压在一个数量级上，所以用三种模型等效的结果差别很大。 * * 若使稳压管正常工作，输入电压一定大于输出电压。 * 利用二极管的结电容（势垒电容）随反向电压的变化二变化的原理。 * 利用金属（铝、金、钼、钛等）在N型半导体接触面形成势垒二极管。 SBD的主要优点包括两个方面：1）由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低（约低0.2V）。　　2）由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。SBD的反向恢复时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向恢复时间。由于SBD的反向恢复电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。　　但是，由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管大。 * 利用砷化镓、磷化镓等化合物制成，通过电流时这些物质会放光，是电子与空穴复合释放出能量的结果。光谱范围较窄。 * 抛光面具有光的反射作用，形成光谐振腔。 * 1 半导体(semiconductor)的基本知识 2 PN结(PNjunction)的形成及特性 电子-空穴对 杂质半导体 * 杂质半导体的示意表示法 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － P型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N型半导体 * PN结(PNjunction)的形成及特性 P型半导体 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － N型半导体 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 扩散运动 内电场E 漂移运动 VD 电位势垒(barrior) * PN结的单向导电性 PN结的伏安特性 * PN结的单向导电性 * 3.3 半导体二极管 3.3.1 半导体二极管的结构 3.3.2 二极管的