电流拥挤效应CurrentCrowdingEffect.PPTVIP

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电流拥挤效应CurrentCrowdingEffect

射極電流擁擠效應 * 授課老師:鄒文正 老師 學生:董冠璋 學號:M99L0225 Outline 形成原因 造成之影響 改善方法 參考文獻 * 形成原因 * 由於HBT垂直式結構,使基極電流橫向流入射極,基極電流橫向流入射極之過程產生電阻與電位差,使得基-射極接面的電場分布不均,而使電流由射極周圍向中心遞減,因此引起射極電流聚集在邊緣,此現象稱為射極群聚現象(Emitter crowding)。 參考文獻 [1]〝半導體元件物理與製程技術〞施敏著 [2] 〝VBIC 模型應用於不同尺寸異質接面雙載子電晶體之研究〞 徐慧芬 * END * *

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