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P1M3 场效应管基本放大电路

自偏压电路的静态分析 此二次方程有两个根,即有两组的ID和UGS值,应根据管子工作在恒流区的条件,选出合理的ID和UGS值。又从电路图可得 [例3.2] 若图3.14中场效应管为3DJ2G,其参数为UGS(off)=.-7V,IDSS=4mA,其他元件参数均标在图上,试确定其静态工作点。 二、 场效应管放大电路的动态分析 1.共源放大电路. 讨论:当源极电阻Rs两端不并联旁路电容C时,共源放大电路的微 变等效电路如图所示。 [例3.3] 电路如图所示,其中Rg1=200k?,Rg2=40k?,Rg3=2M?,Rd=10k?,Rs=2k?,RL=10k?,VDD=18V,场效应管的IDSS=5mA,UGS(off)=-4V。求电路的Au、 Ri和Ro 。 * 模拟电路设计与制作---南京信息职业技术学院电子信息工程系 P3M2:场效应管放大器基本特性测试 MNC3-2 共源放大电路基本特性的测试 做一做 项目:共源放大电路基本特性的测试 项目编号:MNC3-2 任务要求:按测试程序要求完成所有测试内容,并撰写测试报告。 测试设备:模拟电路综合测试台1台,函数信号发生器1台,双踪示波器1台, 低频毫伏表1台,0~30V直流稳压电源1台,数字万用表1块。 测试电路:实验电路:图3.19所示共源放大电路。其中RG1为51k?电阻与 500k?电位器(RP)串联组成,RG2=20k?,RG3=1M?,RD=1k?, RS=1k?,RL=1k?,VT=3DJ6。 图3.19 共源放大电路 测试程序: ① 不接ui ,接入VCC = +20V,调节RG1(RP),使UDS = 10V。此时有ID= mA。 ② 保持步骤①,用万用表分别测量场效应管G点对地电压UG和S点对地电压US , 并记录:UG= V,US= V,UGS= UG?US = V 结论:在结型场效应管构成的放大电路中,场效应管的栅源极之间的偏置为 ______(正偏/反偏)。 ③ 保持步骤②,输入端接入ui(fi =1kHz,Ui =10mV)。 ④ 保持步骤③,用低频毫伏表分别测量输入电压Ui和输出电压Uo的大小, 并记录:Ui = mV,Uo = mV, 结论:在电路参数基本相同的情况下,场效应管的放大能力 (明显高于 /接近于/明显低于)三极管的放大能力。 【能力拓展】 项目:共源放大电路基本特性的仿真测试 项目编号:MNF3-4 任务要求:按测试程序要求完成所有测试内容,并撰写测试报告。 测试设备与软件:计算机1台,Multisim2001或其他同类软件1套。 测试电路:如图3.20所示。 测试程序: (略,类同项目MNC3-2) 图3.20 共源放大电路仿真测试 交流通路图 U Rs =IDRs 栅极直流电位UG ≈0 1. 自偏压电路 栅源之间的直流偏压UGS是由场效应管的自身电流ID流过Rs产生的,故称为自偏压电路。 对于N沟道耗尽型场效应管,自偏压电路将使UGS(off)<UGS<0和UDS≥UGS-UGS(off) ,管子就工作在恒流区。 场效应管放大电路 读一读 (1)计算法: UGS , ID ,UDS 2.分压式自偏压电路 自偏压电路的工作点确定后,UGS和ID为定值,源极电阻Rs就基本被确定,选择的范围很小。为了克服上述缺点,可采用如图所示的分压式自偏压电路基础上加接栅极分压电阻Rg1、Rg2而组成的。 *Rg3 的引入可以提升输入电阻, 构成偏置通路 UGS 反偏电压哪里来的? 漏极电源VDD经Rg1、Rg2分压后的电压,经栅极电阻Rg3作为栅极电压UG ,因Rg3上电压降为零,则 分压式自偏压电路静态工作点的计算 B G D S G S D 当VDD 、ID为定值时,只要Rg1、Rg2和Rs取不同值,则UGS可为正值、零值或负值,因此分压式自偏压电路适用于各种类型的场效应管,并且Rs的选择范围扩大了。由于栅流近似为零,所以分压电阻Rg1、Rg2和栅极电阻Rg3可以比较大。如果图中Rs=0,则因UG>0,这时电路只适用于增强型MOS管了。 分压式自偏压电路适用范围 UGS , , =0 ID≈(5.6±3.6)mA, 解: 而IDSS=4mA,ID应小于IDSS , 故ID=2mA,于是UGS=-1.9V, UDS=VDD - ID(Rd +R) =21.2×(3.9+2.2)=8.8V D G S ig id

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