量子阱激子能量调谐的新方法.PDFVIP

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2018-06-06 发布于天津
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量子阱激子能量调谐的新方法

　第 20 卷第 6 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 20, . 6　 V o l N o 　1999 年 6 月　　　　　　　　　　　　 , 1999　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S June 量子阱激子 GaA s GaA lA s 能量调谐的新方法 1, 2 2 2 2 1 1 徐仲英　王建农　王玉琪　葛惟琨　李　晴　李树深 ( 1 超晶格国家重点实验室　中国科学院半导体研究所　北京　100083) (2 香港科技大学物理系　九龙　香港) M . H en in i (N o ttingham 大学物理系, N o ttingham N G 7 2RD , U K ) 摘要　用分子束外延技术( ) 在量子阱中嵌入亚单层, 可以有效地改变量子 M BE GaA s InA s 阱的激子能量, 从而达到波长调谐的目的. 激子能量的调谐范围取决于量子阱宽度, 并和 InA s 层厚度有关. 利用有效质量近似, 计算给出了能量调谐曲线, 结果与实验符合较好. 本文给出的结果提供了一种改变量子阱发光器件波长的新方法. PACC: 7855, 7847 应变异质结结构由于其独特的物理特性和器件应用背景, 已得到人们的加 InA s GaA s [ 1～ 3 ] 倍关注, 其中研究得最多的是自组织量子点 . 与此同时, 对亚单层、单 InA s GaA s InA s [ 4 ] [ 5 ] 层结构的光学性质也有过深入的研究, 这种结构具有很高的发光效率、窄的光谱线宽、 [ 5, 6 ] [ 7 ] 很强的激子振子强度 , 并具有二维发光特性 . 本文将报道这种结构在器件应用中的另一重要特性: 即用来调谐量子阱结构的发光波长. 这一特性有可能为光电器件的波长调谐提供一种新方法. ( ) 实验所用样品由M BE 生长, 样品基本结构为: 以 100 半绝缘 GaA s 作衬底, 先生长 GaA s 缓冲层, 然后生长一个由三个单量子阱组成的 GaA s 量子阱结构, 三