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退火处理对室温制备Bi05Sb15Te3薄膜热电性质的影响
下半月出版 Material Heat Treatment 材料热处理技术
退火处理对室温制备Bi0.5Sb1.5Te3 薄膜
热电性质的影响
娄本浊
(陕西理工学院, 陕西 汉中 723003)
摘 要 利用射频磁控溅镀法在SiO /Si 基板上制备了Bi Sb Te 薄膜样品 并且测量了薄膜样品在不同退火时间
2 0.5 1.5 3
与退火温度下的热电性质遥 结果表明 薄膜样品经30h 退火后的热电性质与 1h 退火后的热电性质相差不大 这说明长
时间退火并不是Bi Sb Te 薄膜的 佳退火时间遥而在不同退火温度下 样品的塞贝克系数在275 300 ℃退火下降比
0.5 1.5 3
较快 当退火温度为300 ℃时降 小 约为 181 滋V/K 曰而其电阻率则随退火温度的升高呈现出先减小后增大的趋势
退火温度为225 ℃时具有 小的电阻率 约为6.1m赘窑cm 遥 后本文得出经225 ℃退火 10 min 后可得到最佳的 电性
4 2
- W/(m 窑K ) 遥
质 即薄膜样品的塞贝克系数为208 滋V/K 电阻率为6.1m赘窑cm 功率因子则为6.9 伊 10
关键词 Bi0.5Sb1.5Te3 薄膜曰退火处理曰热电性质
中图分类号 TN37 文献标识码 A 文章编号
Effect of Annealing Treatment on Thermoelectric Properties of
Bi0.5Sb1.5Te3 Thin Film Prepared at Room-temperature
LOU Benzhuo
(Shaanxi University of Technology, Hanzhong 723003, China)
Abstract 院The Bi Sb Te thi
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