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绝缘层材料及结构对薄膜晶体管性能的影响-液晶与显示
第 卷 第 期 液晶与显示 32 5 Vol.32 No.5 ChineseJournalofLiuidCrstalsandDislas 年 月 q y p y 2017 5 Ma 2017 y 文章编号: ( ) 1007G2780201705G0344G08 绝缘层材料及结构对薄膜晶体管性能的影响 , , , , 12 12 12∗ 12 , , , 李欣予 王若铮 吴胜利 李尊朝 ( , ; 西安交通大学 电子物理与器件教育部重点实验室 陕西 西安 1. 710049 , ) 西安交通大学 微电子学院 陕西 西安 2. 710049 : ( ) , , 摘要 基于半导体仿真软件 SilvacoTCAD对薄膜晶体管 TFT进行器件仿真 并结合实验验证 重点分析不同绝缘层材 . , , 料及结构对 TFT器件性能的影响 仿真及实验所用薄膜晶体管为底栅电极结构 沟道层采用非晶IGZO材料 绝缘层 . : 采用 和 多种不同组合的叠层结构 仿真及实验结果表明 含有高 材料的栅绝缘层叠层结构较单一 绝 SiNx HfO2 k SiNx ; / / , ; 缘层结构的 性能更优 对 栅绝缘层叠层结构 取 较为合适 对含有高 材料的 TFT SiN HfO SiN TFT HfO 40nm k x 2 x 2 , . 层和 层绝缘层叠层结构 各叠层厚度相同的对称结构 性能最优 本文通过仿真获得了 性能较优的 3 5 TFT TFT
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