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掺犈狉犎犳犗2薄膜材料的光致发光性质

第 卷 第 期 半 导 体 学 报 28 9 犞狅犾.28 犖狅.9             年 月 , 2007 9 犆犎犐犖犈犛犈犑犗犝犚犖犃犔犗犉犛犈犕犐犆犗犖犇犝犆犜犗犚犛 犛犲.2007 狆 掺犈狉犎犳犗2薄膜材料的光致发光性质 , 1 1 1 1 1 1 1 1 2 夏 艳 王军转 石卓琼 施 毅 濮 林 张 荣 郑有? 陶镇生 陆 窻                           ( 南京大学物理系,江苏省光电功能材料重点实验室,南京 ) 1 210093   ( 复旦大学物理系,上海 ) 2 200433   摘要:用脉冲激光淀积( )技术和离子注入的方法制备了掺 氧化铪( )薄膜样品,观察到了样品中 离 犘犔犇 犈狉 犎犳犗2 犈狉 子波长 的室温和变温光致发光( )现象 分析了后期不同的退火温度对样品发光强度的影响,发现当退 1535狀犿 犘犔 . 火温度选取 时可最大程度减少材料中的晶格损伤和缺陷等非辐射衰减中心,同时光激活 离子,从而实现 800℃ 犈狉 最大强度的光致发光 通过对样品光致发光激发( )的测量分析发现,在 离子的发光过程中除了直接吸收的 . 犘犔犈 犈狉 过程之外还存在着间接激发的过程 将会成为 掺杂的一种很好的基质材料 .犎犳犗2 犈狉 . 关键词:氧化铪;铒;光致发光 : , , 犘犃犆犆 7855 7630犓 7280犌 中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( ) 犗4823 犃 02534177200709138804         元件 这些优点使 有可能成为很好的掺 发 . 犎犳犗2 犈狉 1 引言

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