[工学]华中科技大学电子技术数字部分课件2-6.pdfVIP

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2018-02-16 发布于浙江
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[工学]华中科技大学电子技术数字部分课件2-6

2.6 CMOS逻辑门电路 2.6.0 复习MOS管的有关知识 2.6.1 CMOS反相器 2.6.2 CMOS门电路 * 2.6.3 BiCMOS门电路 2.6.4 CMOS传输门 * 2.6.5 CMOS逻辑门电路的技术参数 1 2.6.0 复习MOS管的有关知识大规模集成芯片集成度高，所以要求体积小，而 TTL系列不可能做得很小，但MOS管的结构和制造工艺对高密度制做较之TTL相对容易，下面我们介绍 MOS器件。与双极型电路比较，MOS管的优点是功耗低，（可达0.01mw ），缺点是开关速度稍低。在大规模的集成电路中，主要采用的是CMOS 电路。 2 2.6.0 复习MOS管的有关知识 1. N沟道MOS管的结构金属铝绝缘层沟道区域 P型衬底 3 2.6.0 复习MOS管的有关知识 2. 工作原理 • 当G、S间加上正电压， •V =0时，则D、S之间 GS 且V V 时，栅极与衬相当于两个PN结背向的 GS T 底之间形成电场，吸引串联， D、S之间不通，衬底中的电子到栅极下 i ＝0。 D 面的衬底表面，形成一个N型的反型层－－构成 D、S之间的导电沟道。 P型衬底反型层 •V 被称为MOS管的开 T （导电沟道）启电压。 •由于V ＝0时，无导电沟道，在增强V 电压后形成导电沟 GS GS 道，所以称这类MOS管为增强型MOS管。 4 2.6.0 复习MOS管的有关知识 2. 工作原理 N沟道增强型MOS管具有以下特点： •当V V 时，管子截 GS T 止，相当于开关断开； •当V V 时，管子导 GS T 通，导通电阻很小，相当于开关闭合。 P型衬底同样，对P沟道增强反型层型MOS管来说：（导电沟道） •当|V | |V |时，管子截止，相当于开关断开； GS T •当|V | |V |时，管子导通，导通电阻很小，相当于开关闭合。 GS T 5 2.7 N