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mGreen 芯片模组使用说明书 南京长青激光科技有限责任公司 September 2013 1. 简介 mGreen 芯片模组是用来产生532-nm 绿光的单一组件。采用808-nm 半导体激 光器（LD ）直接泵浦mGreen 芯片模组的简单结构，即可轻松获得100-1000 mW 的绿光输出。 2. mGreen 芯片模组介绍 如图 1 所示，mGreen 芯片模组由 4 个部件组成：承载基片，激光晶体， MgO:PPLN 晶体和保护盖。激光晶体和 MgO:PPLN 晶体固定在基片上。A 型 mGreen 中，激光晶体的入射面镀膜为HT@808 nm ，HR@1064 nm 532 nm； MgO:PPLN 晶体的出射面镀膜为 HR@1064 nm ，HT@532 nm 。B 型 mGreen 中， 激光晶体的入射面镀膜为 HT@808 nm ，HR@1064 nm 532 nm ；MgO:PPLN 晶 体的出射面镀膜为 AR@1064 nm532 nm 。A 、B 两型 mGreen 芯片模组的外形 3 尺寸相同，均为 7.0 (长) × 4.6(宽) × 2.0 (厚) mm 。 MgO:PPLN 晶体 （倍频晶体） 保护盖 承载基片 激光晶体 图1. mGreen 芯片模组的3D 视图 3. 基于mGreen 芯片模组的绿光激光器结构 采用mGreen 芯片模组制作激光器 （laser head ），最基本的配置需求是一个 作为泵浦源的 808-nm 半导体激光器（C-mount ，F-mount 或其他封装形式），一 个 mGreen 芯片模组和相关配件，如半导体制冷片，热敏电阻和金属结构件等， 采用B 型mGreen 芯片还需要配置一个耦合输出镜。图2 （a ）和 （b ）分别给出 了使用808-nm 半导体激光器（C-mount ）作为泵浦源，基于A 、B 两型mGreen 芯片模组的绿光激光器的3D 视图。值得注意的是， 1. 为了获得mGreen 芯片模组的最佳性能，如果mGreen 芯片模组平放，那么 对于偏振态为TE 的808-nm 半导体激光器需要按照图2 所示安装； 2. mGreen 芯片模组的承载基片需要和热沉或半导体制冷片接触良好，以确保 满足激光器工作要求的散热条件； 3. mGreen 芯片模组同808-nm 半导体激光器之间的距离约为0.5 -1.0 mm ； 4. 可根据具体需求，选配聚焦镜，有、无聚焦镜都可以实现高效绿光输出； 5. 为保证较好的光束质量和功率转换效率，最好采用带快轴整形的 808-nm 半 导体激光器作为泵浦源，其光束在水平和竖直两个方向的发散角约为 7 度， 光斑为方形。如果采用更复杂的聚焦耦合系统，用以对泵浦光斑进行更进一 步的整形和聚焦，那么，基于mGreen 芯片模组绿光激光器的光束质量，功 率转换效率等性能指标将会有较大提高。 6. mGreen 芯片模组的保护盖作用是用来保护晶体，其不能承受过大压力，使 用时需注意避免碰触，施压。 图2 （a ）.采用A 型mGreen 芯片模组和C-mount 808-nm 半导体激光器的结构图 图2 （b ）. 采用B 型mGreen 芯片模组和C-mount 808-nm 半导体激光器的结构图 4. 准直 虽然 mGreen 芯片模组本身是一个无需准直的组件，即无需调整激光晶体和 MgO:PPLN 晶体，但是，mGreen 芯片模组同808-nm 半导体激光器之间的距离 仍需要调整，B