CM-05V01半导体行业中替换清洗化学气相沉积CVD反应器的全氟.PDFVIP

CM-053-V01 半导体行业中替换清洗化学气相沉积(CVD)反应器 的全氟化合物(PFC)气体 （第一版） 一、 来源、定义和适用范围 1. 来源 本方法学参考UNFCCC EB 的CDM 项目方法学AM0092: Substitution of PFC gases for cleaning Chemical Vapour Deposition (CVD) reactors in the semiconductor industry （第1.0 版），可在以下网址查询 /methodologies/DB/147DQS77PQ5M53S4QN923QTN5W0T8D 本方法以下述工具必威体育精装版版本作为参考： 基准线情景识别与额外性论证组合工具，以及 设备剩余寿命确定工具 2. 定义 出于使用本方法的目的，下述定义适用： 消除装置：销毁除PFC 之外的物质的装置，例如挥发性有机碳和硅烷，消除过 程中可以销毁部分PFC 。 清洗工艺：为下述三种工艺/生产元件的特殊组合进行优化，从而从CVD 反应 器中清除杂质的工艺， (a) CVD 薄膜沉积应用， (b) CVD 方法特定模型，以及 (c) 特定消除装置。1 基准工艺‘p’：在清洗工艺中使用C2F6 的工艺。 1清洗工艺包括一系列的工序，预先确定工艺参数（气流量、压力、等离子电源），并为综合的硬件和薄膜厚度 进行优化。例如，清洗工艺可以是在无掺杂的硅酸盐玻璃（例如基于TEOS/O2 的）膜沉积后，在配有GuardianTM 消除装置的应用材料P5000 xLTM 仪器上清除残渣的工艺。此外，清洗工艺还可以是在配有CDOTM 清除装置的 NovellusTM 系列模具上，清除氮化硅（例如基于SiH /NH 的）沉积残渣的工艺。 4 3 1/49 替代工艺‘p’：替代基准工艺的c-C F 清洗工艺。 4 8 清洗运转‘k’：使用替代工艺‘p’执行清洗工艺的特例。由于每次清洗运转之前沉 积膜的厚度‘t’不同，项目参与人员将根据每次清洗运转（和每个厚度）计算减少的 排放。 原始PFC 气体：项目实施前用于清洗CVD 反应器的PFC （C F ）。 2 6 替代PFC 气体：项目实施后替代原始PFC 气体的PFC 气体（c-C F ）。 4 8 稀释因子（DF ）：总排放量与使用入气总量的比率（泵或消除装置）。 销毁清除效率（DRE ）：通过消除装置清除具体化合物的效率比例。 3. 适用条件 本方法适用于半导体行业通过使用现场清洗 CVD 反应器的气体 c-C4F8 （八氟 环丁烷）替换C F ，从而降低PFC 排放的项目活动。 2 6 在下述情况下，亦适用本方法： (a) 项目范围内的生产线于2010 年1 月1 日之前开始商业运营，在项目实施之 前运营时间至少为三年，在此期间原始PFC 气体为C F ； 2 6 (b) 没有为了后续的销毁，临时储存替代PFC 气体。 本方法不适用于为了销毁PFC 特别使用消除装置的工艺。.2 此外，本方法适用上文提到的工具的适用条件。 最后，只有当基准情景作为现有情景的延续时，即项目实施之前的最近三年中 使用的同一基准技术的延续，本方法方可适用。 二、 基准方法程序 1. 确定基准线情景