基于SOI的2_2MMI耦合器的设计_董夏叶精选.pdf

激光与光电子学进展 ， （ ） Ｌａｓｅｒ＆Ｏ ｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＰｒｏ ｒｅｓｓ 《 》 ２０１２ 　 ｐ 　 ｇ Ｃ ２０１２ 中 国激光 杂志社 ○ 基于 的 耦合器的设计 ＳＯＩ ２×２ＭＭＩ ， 董夏叶１ 李鸿强１ 陈弘达２ 李恩邦１３ 柳智慧１ 魏可 嘉１ 　 　 　 　 　 １ ， 烄 天津 工业 大学 电子与信 息 工 程 学 院 天津 ３００３８７ 烌 ２ ， 中 国科学 院半导 体研究 所 北 京 １０００８３ ３ ， 悉 尼 大学光学 系统超 高带宽 器 件 中心 澳 大利 亚 新 南 威 尔 士州 ２００６ 烆 烎 （ ） （ ） （ ） 摘要 设计 了一种 可用 于 阵列波 导 光 栅 解 调 集 成微 系统 的绝 缘 体 上 硅 基 多模 干涉 耦合 ＡＷＧ ＳＯＩ ２×２ ＭＭＩ 　 ， （ ） 。 ／ ， 器 用 光 束 传 播 法 ＢＰＭ 对 ＭＭＩ耦 合 器 进 行 了 模 拟 耦 合 器 输 入 输 出 波 导 采 用 倒 锥 形 多 模 干 涉 区 尺 寸 为 。 ， ， 。 ６ ｍ×５７ ｍ 在 ＴＥ偏 振 中心波 长 为 １．５５ ｍ 时 器 件 附 加 损 耗 为 ０．４６ｄＢ 不 均 匀 性 为 ０．０６ｄＢ 在 １．４９ μ μ μ ～ 。 、 波 长 范围 内耦合器的 附加 损耗 小于 仿 真结 果 表明所设计的 耦合器体 积 小 附加 损耗 １．５９ ｍ １．５５ｄＢ ２×２ ＭＭＩ μ 、 、 ，