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高手进阶，终极内存技术指南——完整/进阶版-PCPOP.COM 页码，1/7 注册PCPOP的会员??用户名： 密码： ? 登陆社区 登陆论坛 随便逛逛 ? 首页 |专题区：MP3播放器 DVD刻录 准系统 AMD64处理器 数码相机 中低端显卡 主流手机 新闻中心 |行情频道 |评测中心 |数码频道 |新品快递 |厂商新闻 |技术论坛 高手进阶，终极内存技术指南——完整/进阶版 更新日期：2002年12月17日??评测编辑： 特约作者 赵效民 第7页：SDRAM与内存基础概念（六） 第7页：SDRAM与内存基础概念（六） 7、预充电 由于SDRAM的寻址具体独占性，所以在进行完读写操作后，如果要对同一L-Bank的另一行进行 寻址，就要将原来有效（工作）的行关闭，重新发送行/列地址。L-Bank关闭现有工作行，准 备打开新行的操作就是预充电 （Precharge）。预充电可以通过命令控制，也可以通过辅助设 定让芯片在每次读写操作之后自动进行预充电。实际上，预充电是一种对工作行中所有存储体 进行数据重写，并对行地址进行复位，同时释放S-AMP（重新加入比较电压，一般是电容电压 的1/2，以帮助判断读取数据的逻辑电平，因为S-AMP是通过一个参考电压与存储体位线电压的 比较来判断逻辑值的），以准备新行的工作。具体而言，就是将S-AMP中的数据回写，即使是 没有工作过的存储体也会因行选通而使存储电容受到干扰，所以也需要S-AMP进行读后重写。 此时，电容的电量（或者说其产生的电压）将是判断逻辑状态的依据（读取时也需要），为此 要设定一个临界值，一般为电容电量的1/2，超过它的为逻辑1，进行重写，否则为逻辑0，不 进行重写 （等于放电）。为此，现在基本都将电容的另一端接入一个指定的电压 （即1/2电容 电压），而不是接地，以帮助重写时的比较与判断。 现在我们再回过头看看读写操作时的命令时序图，从中可以发现地址线A10控制着是否进行在 读写之后当前L-Bank自动进行预充电，这就是上文所说的 “辅助设定”。而在单独的预充电命 令中，A10则控制着是对指定的L-Bank还是所有的L-Bank（当有多个L-Bank处于有效/活动状态 时）进行预充电，前者需要提供L-Bank的地址，后者只需将A10信号置于高电平。 在发出预充电命令之后，要经过一段时间才能允许发送RAS行有效命令打开新的工作行，这个 间隔被称为tRP（Precharge command Period，预充电有效周期）。和tRCD、CL一样，tRP的单 位也是时钟周期数，具体值视时钟频率而定。 /read.asp?id=614page=72003-11-27 高手进阶，终极内存技术指南——完整/进阶版-PCPOP.COM 页码，2/7 硬件文章排行 （上图可点击放大） -尽享海量存 10款DVD 读取时预充电时序图：图中设定：CL=2、BL=4、tRP=2。自动预充电时的开始时间与此图一 - 样，只是没有了单独的预充电命令，并在发出读取命令时，A10地址线要设为高电平（允许自 报告（下）：效能 动预充电）。可见控制好预充电启动时间很重要，它可以在读取操作结束后立刻进入新行的寻