ISE基本操作.docVIP

1 在服务器linux下建立新用户，包括口令和密码。 2 安装exceed网络访问软件，按照提示进行安装。设置服务器ip地址，192.168.1.88 3 通过进入进入，输入用户名和密码进入linux操作系统。Terminal中输入/ISE/bin/GENESISe。进入/ISE/bin/custom 4 将师兄的文件考入自己建的目录下面（否则不能保存，软件问题），打开目录下面所需要的，进入。 点击右键，出现，选择Boundary。进入mdraw界面，绘制器件结构。 首先选择绘制器件结构，选中是“坑”。在中选择SiC材料，用画矩形，选中，再点击矩形的各个端点，输入坐标位置。其中，坐标单位默认为um。依次画出器件的其他部分结构，宽度对器件的性能的影响不大，不需要精确定位。和调解大小。使用中的zoom reset也可以达到效果。（Mdraw中默认的是um 微米） 在中添加新的电极名（cathode,anode），框中存在的电极表示要添加的。再点击按钮，在图中相应的位置点击下，添加接触。删除不需要的部分。Preferences调节相应的参数。 选择掺杂。点击 （均匀掺杂），在窗口的区域里面划动鼠标，选取掺杂区域，在窗口里面，确定掺杂区域对角线端点坐标，掺杂种类和掺杂浓度。依次对各个区域进行掺杂。 划分网格。点击，在窗口的某个区域里面划动鼠标，出现窗口。由此，确定划分网格区域的对角坐标，网格划分的最大值和最小值，网格大小的划分直接影响结果的收敛性，所以要不断调整，（一般原则，网格的划分最大值一般取作全长的1/10，最小值取作最大值的一半）。还要在中添加掺杂种类。其中还有一点要注意，对于不规则图形，默认区域的网格划分也要设定。默认区域是指最大的矩形。在菜单里面选择选择默认区域，设置它的对角线坐标值应该是最大的区域，同时划分网格大小，在中添加掺杂种类点击ok。点击键，可以查看网格划分和掺杂信息（掺杂点端点，网格点区域）。 1.点击生成网格。察看网格数目，点击中的，网格数目一般在2000~4000正常。使用Preferences的一些选项。运行的时候一定要选择节点不能点击图标来运行。 9. 2. 查看电学参量的时候，首先选定节点。然后点击中的.dat Files(TECPLOT),选中Slicer中的X Nomal cut ,或者Y Nomal cut ,输入需要截取的值，（这样一截取就把所有的电学参量都截取了）选中右边的dataset中的截取位置，然后在Files中选择export将它导入到inspect中，查看相应的参数曲线。注意：坐标的变换，如果从x轴截，那么需要把y轴转化为x轴。还可以继续把导出的数据放在orign中。 登陆软件会影响登陆到终端后的图形界面.dat File的打开~~~~ 在参数文件中，打星号的是不能更改的，软件中固定的模型，如果参数之前也有星号那么参数也不能改。des中的模型都是调用参数文件里面的东西，如果需要的话，可以改参数，不过不能随便改，最好是来自于其他文章的参数，这样得到的结果可信 基本不需要更改的dessis，察看4H-SiC 参数文件的路径 /usr/local/tcad/tcad/10.0/LIB/dessis/MaterialDB/4H-SiC.par， 如果需要观察曲线图的时候，可以点击下面的.plt Files(inspect)，同时设置纵向坐标和横向坐标，可以看到端口电压电流特性，而点击.dat Files(tecplot)可以查看电势和电场等电学参数。在打开.plt Files(inspect)之后，可以选定曲线Files。。。export 导出数据，也可以curve。。。curve data导出数据。对于任何command_des.cmd语句或者parameter_des.par修改除了在自身窗口保存外，还要保存整个工程。 要进行正反向特性仿真的时候，只要修改command中的Goal{ Name=Anode Voltage=-150}这条语句中的电压值即可。其他的可以按照cbx的照搬。物理模型的选取至关重要见14。 瞬态特性中cmd命令有所变化： 1 Electrode{ { Name=Anode Voltage=0 Voltage = ( 0 at 0 //在时间0s时，电压为零，在时间1e-6时电压为3， // 在10.5e-6时候，电压-50 3 at 1e-6 3 at 10e-6 -50 at 10.5e-6 - 50 at 14.0e-6 )