模块二三级管及其基本放大电路.pptVIP

任务：认识三极管并能简单测试 问题 1、三极管的结构有什么特点？ 2、三极管有什么主要性能？ 3、三极管为什么具有放大性能？ 4、除了放大功能，三极管还有什么功能？ 5、要使三极管安全工作，应注意哪些事项？ 五、三极管的测试与应用 1、利用指针式万用表R×1k档或R×100Ω档判别三极管的极性 2、利用指针式万用表R×1k档估测三极管的穿透电流 3、利用指针式万用表R×1k档估测三极管的电流放大倍数 二、结型场效应管（J-FET） 与双极型晶体管的比较 1、只有多子参与导电，受温度影响较小（热稳定性较好），抗辐射能力较强。 2、结型场效应管工作时PN结必须反偏、MOS管则由于栅极被绝缘，故场效应管的输入阻抗大大高于三极管。 3、集成度高。 4、使用注意事项。 P N N G S D UDS UGS UGS0时 UGS足够大时（UGSUT）将P区少子电子聚集到P区表面，形成导电沟道，如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流id。 感应出电子 UT称为阈值电压（开启电压） UGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，UGS越大此电阻越小。 P N N G S D UDS UGS UT（VT） iD=f(uGS)?uDS=常数 （三）增强型N沟道MOS管的特性曲线 输出特性曲线 转移特性曲线 一个重要参数——跨导gm gm=?iD/?uGS? uDS=const gm的大小反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。 在转移特性曲线上， gm为曲线的斜率。 在输出特性曲线上也可求出gm。 N沟道增强型MOS管的基本特性 uGS ＜ UT，管子截止 uGS ＞UT，管子导通 uGS 越大，沟道越宽，在相同的漏源电压uDS作用下，漏极电流ID越大 （四）耗尽型N沟道MOS管的特性曲线 耗尽型的MOS管UGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。 转移特性曲线 0 ID UGS VT ID U DS 0 UGS=0 UGS0 UGS0 输出特性曲线 N沟道耗尽型MOS管的特点 当uGS=0时，就有沟道，加入uDS，就有iD。 当uGS＞0时，沟道增宽，iD进一步增加。 当uGS＜0时，沟道变窄，iD减小。 * 上次课内容： 1、单相整流电路及其特点和适用场合 2、滤波分类及其适用场合、实用举例 3、稳压二极管稳压电路的工作原理及限流电阻的取值原则 4、二极管一章重点： ⑴半导体的三大特性 ⑵二极管的单向导电性 ⑶稳压二极管电路限流电阻的取值 ⑷二极管的测试方法 模块二 三极管及其基本放大电路 一、基本结构 B E C N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 P N P 集电极 基极 发射极 B C E PNP型 双极型晶体三极管 B E C N N P 基极 发射极 集电极 基区：较薄，掺杂浓度低 集电结：面积较大 发射区：掺杂浓度较高 B E C N N P 基极 发射极 集电极 发射结 集电结 B E C IB IE IC NPN型三极管 B E C IB IE IC PNP型三极管 符号 三极管的结构特点：基区特别薄，发射区掺杂浓度特别高，集电结面积特别大。 （一）实验测试方法 IC mA ?A V V VCE VBE RB IB EC EB 二、电流分配和放大原理 结论: 1. IE=IC+IB 3. IB=0时, IC=ICEO（穿透电流） 4.要使晶体三极管处于放大状态,发射结必须正偏,集电结必须反偏。 （二） 电流放大原理* B E C N N P EB RB EC IE 基区空穴向发射区的扩散可忽略。 IBE 进入基区的电子少部分与基区的空穴复合，形成复合电流IBE ，多数扩散到集电结。 发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。 B E C N N P EB RB EC IE 集电结反偏，集电区少子漂移形成的反向电流ICBO。 ICBO IC=ICE+ICBO?ICE IBE ICE 从发射区扩散来的电子作为基区的少子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。 IB=IBE-ICBO?IBE IB B E C N N P EB RB EC IE ICBO ICE IC=ICE+ICBO ?ICE IBE ICE与IBE之比称为电流放大倍数 无数次试验发现：漂移到集电区的电子数（或其变化量）与在基区复合的电子数（或其变化量）总成比例，即ICE与IBE之比为一常数，称作电流放大倍数。 （一）输入特性 UCE ?1V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。 UCE=0V UCE =0.5V