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是上海镭芯微电子有限公司生产的超高频低噪声功率晶体...
FC4988 RF TRANSISTOR 描述 FC4988 是上海镭芯微电子有限公司生产的超高频低噪声功率晶体管，采用平面NPN 硅外延双极型工艺。具有高功率增益、低噪声系数、大动态范围和理想的电流特性。封 装形式为 SOT-89 贴片式封装，主要应用于 VHF 、UHF 和 CATV 高频宽带低噪声放大器。 主要特性 2 高增益:︱S21 ︱典型值为 9.5dB @ VCE=10V, Ic=40mA, f=1GHz 低躁声: NF典型值为 1.1dB @ VCE=10V, IC=7mA, f=1GHz 特征频率: fT 典型值为 6.5GHz @ VCE=10V, Ic=20mA,f=1GHz 极限工作条件范围 (TA=25℃) 参数 符号 极值 单位 集电极基极击穿电压 VCBO 20 V 集电极发射极击穿电压 VCEO 12 V 发射极基极击穿电压 VEBO 3 V 集电极电流 IC 100 mA 功耗 PC 1.2 W 结温度 Tj 150 ℃ 存储温度 Tstg -65 +150 ℃ ~ *采用散热板 hFE 规格 等级 G R S 标号 RH RF RE hFE 50-100 80-150 125-250 LASERON MICRO ELECTRONIC LTD - 1 - FC4988 RF TRANSISTOR 电学特性 (TA=25℃) 参数 符号 最小 典型 最大 单位 测试条件 集电极基极击穿电压 VCBO 20 V IC=1.0uA 集电极发射极击穿电压 VCEO 12 V IC=100uA 集电极基极漏电流 ICBO
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