MOS电容C-V特性.pptxVIP

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2018-01-13 发布于河南
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MOS电容C-V特性.pptx

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MOS电容C-V特性

MOS结构的C-V特性报告人：王硕2011年11月22日MOS结构的C-V特性MOS电容结构的能带图理想MOS电容的C-V特性实际MOS电容的C-V特性小结无偏压下MOS电容结构的能带图的接触电势差表面势ECECSiO2Si（P型）SiO2Si（P型）-+-+-EFEF+EFMEFM-+-EVEV+-+AlAl理想非理想外加偏置下MOS电容结构的能带图AlSiO2Si体现了外加电场的作用MOS结构的C-V特性MOS电容结构的能带图理想MOS电容的C-V特性实际MOS电容的C-V特性小结理想MOS电容的C-V特性由为空间电荷区宽度，氧化层完全绝缘氧化层中不存在任何电荷氧化层与半导体界面上无界面态忽略金属与半导体的接触电势差积累状态下MOS电容的C-V曲线ECSi（P型）SiO2EFMEFiEFAlEV耗尽状态下MOS电容的C-V曲线ECSi（P型）SiO2EFiEFEFMEVAl反型状态下MOS电容的C-V曲线反型层电荷密度变化的电子的来源：空间电荷区的P型衬底的少子扩散空间电荷区热运动形成的空穴-电荷对ECSi（P型）SiO2EFiEFEVEFMAl反型状态下MOS电容的C-V曲线低频时：高频时：MOS电容器的C-V特性曲线C低频积累弱反型耗尽反型高频0MOS结构的C-V特性MOS电容结构的能带图理想MOS电容的C-V特性实际MOS电容的C-V特性小结实际MOS电容的C-V特性固定栅氧化层电荷效应界面电荷效应固定栅氧化层电荷效应其中：为固定氧化层电荷为金-半功函数不同有效氧化层陷阱电荷下，P型MOS电容器高频电容和栅压的函数关系图界面电荷效应界面电荷效应界面态效应对MOS电容器的高频C-V特性曲线的影响小结谢谢！