场效电晶体测验卷.DOC

第八章場效電晶體測驗卷 班級: 姓名: 座號: 得分: 選擇題 共25題 (共100分) ( )1. 增強型P基底MOSFET，欲使通道導通，閘源極應加何種偏壓？(A)負電壓 (B)正電壓和負電壓皆可 (C)大於臨界電壓之正電壓 (D)小於臨界電壓之負電壓 ( )2. 下列有關MOSFET之敘述，何者錯誤？(A)MOSFET之閘極與源極間的直流電阻接近無窮大 (B)P通道增強型MOSFET與N通道空乏型MOSFET的特性完全相同 (C)MOSFET之閘極與通道間一般是隔著二氧化矽（SiO2） (D)空乏型在製造上比增強型多了實質的通道 ( )3. 圖(a)電路中的MOSFET具有如圖(b)的-特性曲線，仟歐姆，仟歐姆，仟歐姆，= 20伏特，試求= 0仟歐姆時，約為(A)2.1毫安培 (B)6.7毫安培 (C)8.9毫安培 (D)13.7毫安培 ( )4. 場效電晶體臨限電壓大小主要由何者決定？(A)金屬導電層厚度 (B)二氧化矽層厚度 (C)半導體層厚度 (D)皆無關係 ( )5. 有一P通道JFET，其，，若，則為多少？(A)0mA (B)2mA (C)4mA (D)8mA ( )6. 某N通道接面型場效電晶體（JFET）之夾止電壓（pinch-off voltage） =–4V且源極電壓，則下列何者可工作於飽和區：(A)， (B)， (C)， (D)， ( )7. 如下圖所示電路，，求？(A)–3.3V (B)3.3V (C)–2.6V (D)4.0V ( )8. 要使空乏型金氧半場效電晶體MOSFET的通道有電流流通，則電壓？(A)接負電壓 (B)接正電壓 (C)接負電壓或正電壓 (D) ( )9. 如下圖所示電路，若，，，則應為多少？(A)1kΩ (B)2kΩ (C)3kΩ (D)4kΩ ( )10. 場效電晶體的放大電路中，下列哪一個組態的輸入阻抗很小，輸出阻抗很大？(A)共集極放大電路 (B)共源極放大電路 (C)共汲極放大電路 (D)共閘極放大電路 ( )11. 如下圖所示電路，已知JFET之，，使此JFET工作於飽和區（Saturation Region），且汲極電流，則為(A)–1V (B)–3V (C)–2V (D)–2.5V ( )12. 下列有關MOSFET與JFET的特性敘述，何者錯誤？(A)N通道增強型MOSFET，當時， 　 (B)MOSFET有較高之輸入電阻 (C)P通道增強型MOSFET，當時， 　 (D)P通道的JFET需加負的電壓，才能使汲極電流流通 ( )13. 場效電晶體（FET）被拿來當放大器的第一級時，是利用它的什麼優點？(A)電流增益大 (B)輸入阻抗大 (C)輸出阻抗大 (D)輸入阻抗小 ( )14. 下列哪一個放大電路又稱為源極隨耦器（source follower）？(A)共集極放大電路 (B)共源極放大電路 (C)共汲極放大電路 (D)共閘極放大電路 ( )15. 如下圖所示電路，其電晶體為接面型場效電晶體（JFET）， = 15V，，， = 400Ω，C1 = C2 = 0.02μF，C3 = 20μF，其汲-源極飽和電流，閘-源極夾止電壓。求此電路的偏壓為多少伏特？(A) (B) (C) (D) ( )16. FET與BJT比較，FET最大的缺點為何？(A)熱穩定度差 (B)抵補電壓大 (C)易受輻射影響 (D)增益頻寬積小 ( )17. 下列有關FET之共汲極（CD）放大器的特性，何者錯誤？(A)高輸入阻抗 (B)低輸入阻抗 (C)又稱源極隨耦器 (D)具有電壓放大之特性 ( )18. 如下圖中之JFET，其閘-源極夾止電壓時，其汲-源極飽和電流，則此裝置進入定電流區時之最小值為多少？(A)9.52V (B)10.72V (C)10.95V (D)11.24V ( )19. 在下列哪一個條件下，P通道增強型MOSFET會有通道產生並使汲極電流流通？(A) 0， (B) 0， (C) 0， (D) 0， ( )20. 有一P通道JFET，其，，若汲極電流，求閘極與源極間之電壓為多少？(A)1kΩ