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电子技术有限公司芯片电路分析及仿真

SN74LVC2T45 线路设计报告 报告日期: 2011.9.30 共 (19) 页 项目负责人 刘志 组别 1 组长姓名 任连峰 接手日期 2011.8.28 接收情况 新照片 完成日期 2011.9.30 完成情况 仿真完成 原版工艺 Bipolar V CMOS BiCMOS BCD 特征尺寸 0.8um 最高耐压 6.5V 器件总数 371 电路类型 数字 样片大小 照片重复率 50% 数字比例 100% 模拟比例 0 器件种类 取值 仿真模型 Nwell 电阻 rnwell=5kΩ/□ NMOS h06mixddct02v22.lib tt PMOS h06mixddct02v22.lib tt 功能模块 DIR传输方向控制模块,A到B端口电平转换模块,B到A端口电平转换模块 芯片简介 The SN74LVC2T45 dual-bit dual supply bus transceiver with configurable voltage translation and 3-state outputs. This dual-bit noninverting bus transceiver uses two separate configurable power-supply rails.The A port is designed to track VCCA.VCCA accepts any supply voltage from 1.65 V to 5.5 V.The B port is designed to track VCCB.VCCB accepts any supply voltage from 1.65 V to 5.5 V.This allows for universal low-voltage bidirectional translation between any of the 1.8-V,2.5-V,3.3-V,and 5-V voltage nodes.It is designed for asynchronous communication between two data buses. The logic levels of the direction-control (DIR) input activate either the B-port outputs or A-port outputs. The device transmits data from the A bus to the B bus when the B-port outputs are activated, and from B bus to A bus when the A-port outputs are activated.The DIR input circuit is referenced to VCCA. 关键性能要求 ?Each port to operate over the full 1.65-V to 5.5-V power-supply range ?Vcc isolation feature —If either Vcc input is at GND,both ports are in high-impedance ??Low power consumption ,10uA Max icc ??(24-mA output drive at 3.3V ??Ioff Supports Partial-Power-Down Mode Operation ??Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II 专利说明 原芯片公司是否有相关专利? 1、原理框图 2、应用框图 3、电路功能分析: 整体电路: 3.1 DIR 传输方向控制模块 3.1.1 模块电路图 3.1.2功能分析: DIR 通过两个反相器,构成一高,一低的电平作为输入,红线和黄线作为输出,分别控A到B方向传输的开关,和B到A方向传输的开关。其中红,黄两线的输出对传输方向的控制是低电平使能。 整个模块的功能是: Dir B-A(红线) A-B(黄线) 0 0 1(VCCB) 1 1(VCCA) 0 3.1.3 仿真波形图 图中 DIR输入为高电平3.3V的pulse脉冲,VCCA=3.3V,VCCB=1.8V,第一个波形为DIR输入,红、黄线分别为对应的输出。红线高电平参考VCCA,

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