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纳米C和SiC掺杂对MgB带材超导性能的影响!-物理学报-中国
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 11 / +--3 / , , , OP@ $11 EP $/ 6*Q’*?)*R +--3 ( ) !0,+/-I+--3I11 -/ I;.2,0-1 J5=J KLM6N5J 6NEN5J !+--3 5S7( $ KSAF $ 6PD $ 纳米 和 掺杂对 带材超导性能的影响! ! #! $%’ ) ) ) ) ) ) ! ! ! ! + , 张现平 马衍伟 高召顺 禹争光 # $ %’()* 闻海虎 !)(中国科学院电工研究所应用超导实验室,北京 !.- ) + )(日本东北大学金属材料研究所,仙台/.-0.122 ,日本) , )(中国科学院物理研究所,北京 !.- ) ( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿) +--3 , ! +--3 , +. 采用 射线衍射仪,扫描电镜,超导量子干涉仪等仪器对纳米 和 掺杂的 带材进行了表征,并采用 4 5 675 89: + 标准四引线法对样品的临界电流进行了测试 实验表明,和 掺杂在提高 带材高场下的临界电流密度方 $ 5 675 89: + 面具有显著效果 在温度为 、磁场大于 条件下,和 掺杂样品的临界电流密度与未掺杂样品相比均提 $ ; + # / = 5 675 高一个数量级以上 掺杂样品高磁场下良好的临界电流性能主要归因于 对 的替代所产生的晶格畸变、位错等 $ 5 : 缺陷和局部成分变化而导致的有效晶内钉扎作用
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