硅基上使用_MOCVD_生长高性能_InGaN_LED.pdfVIP

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2017-12-17 发布于河北
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硅基上使用_MOCVD_生长高性能_InGaN_LED

High performance MOCVD-grown InGaN LED on Si Takashi Egawa Research Center for Nano-Device and System Nagoya Institute of Technology Contents 1. Introduction and purpose 2. Experimental results (1) Heteroepitaxial growth (2) Fabrication process (3) Characterization of InGaN MQW LED on Si Surface morphology and cross-sectional TEM observation Conduction band offset at AlN/Si interface I-V, L-I, spectrum and aging result (4) InGaN LED on Si with distributed Bragg reflector (DBR) (5) Bonding and selective etching technique 3. Conclusions Introduction 1. GaN-based LED on Si p electrode p electrode (1) Advantage Simplicity of fabrication process p-GaN layer Large-scale production p-AlGaN layer Low cost n electrode InGaN active layer Active layer n-AlGaN layer Electronic integration n-GaN LT GaN buffer layer Si substrate: n-SiC sub. Large size Sapphire sub. Conductive p electrode n electrode p-GaN layer p-AlGaN layer Comparison of substrat