三极管SS9013带中文翻译.docVIP

SS9013 B类便携式收音机中1W输出放大器的推挽式操作运算 最高消耗功率 （Pt=625mW） 最高集电极电流. (Ic=500mA) 1.发射 与SS9012互补 2.基极 3.集电极 NPN硅晶体管 Ta=25°C 时 绝对最大额定参数 符号 参变量 评定等级 单位 Vcbo 基极电压 40 V Vceo 集电极电压 20 V Vebo 发射极电压 5 V Ic 集电极电流 500 mA Pc 集电极消耗功率 625 mW Tj 交叉点温度 150 °C Tstg 储存温度 -55~150 °C -- Ta=25°C 时 电气特性参数 符号 参变量 试验状态 最小值 典型值 最大值 单位 BVCBO 集电极击穿电压 IC =100μA, IE =0 40 V BVCEO 发射极击穿电压 IC =1mA, IB =0 20 V BVEBO 基极击穿电压 IE =100μA, IC =0 5 V ICBO 集电极截止电流 VCB =25V, IE =0 100 nA IEBO 发射极截止电流 VEB =3V, IC =0 100 nA hFE1 hFE2 直流电流增益 VCE =1V, IC =50mA VCE =1V, IC =500mA 64 40 120 120 202 VCE(sat) 集电极饱和电压 IC =500mA, IB =50mA 0.16 0.6 V VBE(sat) 基极饱和电压 IC =500mA, IB =50mA 0.91 1.2 V VBE (on) 基极工作电压 VCE =1V, IC =10mA 0.6 0.67 0.7 V hFE分类 分类 D E F G H hFE1 64~91 78~112 96~135 112~166 144~202 标准的特性曲线 静态特性曲线 （集电极电流、 电流增益频带宽（集电极电流 饱和电压） 电流增益频带宽度 ） 封装尺寸大小 以下是仙童半导体注册和未注册的商标 免责声明 飞兆半导体储备的权利，恕不另行通知的变化 以下所有产品在提高可靠性，功能和设计.飞兆半导体不承担 任何责任的应用或使用任何产品或电路此处所描述的; 它也不传达任何其专利权的许可下，也没有他人的权利 LIFE SUPPORT POLICY FAIRCHILD’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION. As used herein: 1. Life support devices or systems are devices or systems which, (a) are intended for surgical implant into the body, or (b) support or sustain life, or (c) whose failure to perform when properly used in accordance with instructions for use provided in the labeling, can be reasonably expected to result in significant injury to the user. 2. A critical component is any component of a life support device o