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一、手机电路设计（硬件框图） 二、元件的选型 手机电路设计（硬件框图） 1、手机硬件的基本原理框图 2、MT6235，MT6253，MT6225，MT6223D的BB框图 3、平台差异性讨论 1、手机硬件的基本原理框图 2、MT6235框图 MT6253框图 MT6223D框图 3、平台差异性讨论 PMU的集成； Transceiver的集成； 双卡单通集成； USB2.0支持性； Camera和T卡的支持； 二、元件的选型 1、电源； 2、存储器 ； 3、音频功放； 4、ESD器件； 5、其他器件的选择 电源（一） 目前有三种选择：线性LDO稳压器、无电感型开关稳压器(亦称为充电泵)以及传统的开关稳压器(基于电感器) 。 线性LDO：线性LDO稳压器被认为是最简单的方案，它只能将输入电压转换到更低的电压。它最显著的缺点是热量管理，因为它的转换效率接近于输出电压与输入电压的比值。 传统的开关稳压器（DC/DC）：开关稳压器可避开所有线性稳压器的效率缺点。通过使用低阻抗开关和磁存储组件，开关稳压器的效率能达到90％以上，从而显著减少转换过程的功率损耗。 无电感型开关稳压器（CHARGE PUMP）：介于线性稳压器与传统开关稳压器之间的是充电泵。在充电泵中，外部储能元件是电容而不是电感。由于没有电感，它可以减轻潜在的电磁干扰问题充电泵的缺点是有限的输入输出电压比以及有限的输出电流能力。 电源（二） 选择电源模块时应该注意的几点： 1、输出功率 需要确认电源模块的输出电流。 案例：MT6319的峰值电流在150MA左右，射频供电的LDO兼容物料（ EUP7981-28NIR1），输出电流只有150mA，在极端条件下出现的电流临界点，出现无法拨打电话。 2、转换效率 传统的开关稳压器（DC/DC）无电感型开关稳压器（Charger Pump）线性LDO。 3、体积 线性LDO无电感型开关稳压器传统的开关稳压器。 存储器（一） NOR Flash Memory 和NAND Flash Memory NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。 大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。 而随着技术的发展，近两年NAND+SDRAM的存储方案在手机里面也得到了广为应用，典型的有MTK的MT6235平台方案。 PSRAM 就是我们常说的内存。PSRAM（或者称FCRAM）与SRAM是有差别的，内部使用的是DRAM的技术，而外部使用的是SRAM的接口，功耗上可能要增加，但成本减少了。 外置FLASH记忆卡 CF，SD，SM，MS，MMC等 存储器（二） 1.CF卡英文全称Compact Flash Card，是由美国SanDisk公司于1994年研制成功的，它是目前应用最为广泛的存储卡 2.SM卡英文全称Smart Media Card，是日本东芝研制开发的小型存储卡，SM卡体积很小且很轻很薄。与大部分数码存储卡不同的是，SM卡由塑胶制成。 3.MMC卡英文全称Multi Media Card，是由美国SanDisk公司和德国西门子于1997年共同开发的多功能存储卡。 4.SD卡英文全称Secure Digital Card，是由日本松下公司，东芝公司和美国SanDisk公司于1999年8月共同研制开发而成的。具有大容量、高性能、安全等多种特点的多功能存储卡。 5.MS卡英文全称Memory Stick Card，由Sony公司于1997年研发推出，因其在形状上成长方形,所以我们又管它叫作“记忆棒”。 6.XD卡英文全称Extreme Digital Card,是在2003年1月9日富士公司和奥林巴斯合作推出的 7.TF卡英文全称Trans Flash Card，由SanDisk公司于2004年10月26日推出。TF卡使目前世界上最小的存储卡，TF卡主要使用在手机上存储多媒体数据。 音频功放（一） 音频功放共分为模拟和数字两大类，模拟功放又分为A类,B类,AB类 ，数字的有D类： 1.A类功放效率比较低，B类功放交越失真比较大，所以现在设计中基本上不再使用。 2.AB类功放集中了A类和B类功放的优点，在目前手机上使用比较多。 3.D类功放是数字功放，具有很好的性能，但价格比AB类功放略贵一点。 音频功放（二） 在手机音频功放的参数中PSRR，THD+N，SNR等参数决定了一个音频功放的优劣，特别是PSRR值，对手机的抗TDD noise起到了很大的作用。 1.PSRR（power supply rejection rate）电源纹波抑制比：是音频放大器的输入测量电源电压的偏差偶