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LED光刻及相关工艺技术 光刻工艺中的基本知识 2.光刻工艺中的常用技术 (1).光刻胶的热特性及其重要性 (2).金属剥离技术---Lift-off metal和P.R的厚度比; P.R的断面形状;底层金属的粘付性;溶胶法和蓝膜粘离法;EB设备. (3).半球形胶面的制备及应用 (4).底胶的去除问题 (5).其它 3. 与光刻工艺相关的其它技术;1. 图相转移技术（光刻）的基本知识：;光源: 汞灯：e线——546nm h线——406nm g线——436nm i线——365nm UV——248nm EB——埃量级 最小特征尺寸：△L＝K1 λ／NA λ（波长），NA（透镜的数值孔径） K1 与工艺参数有关(一般取0.75) *要注意光刻胶所要求的 光源波长;短波长适用于 小尺寸.;NA（数值孔径）： 对于一个理想的镜头系统，图像的质量仅仅受到由于NA的大小有限而造成衍射光不能通过镜头。 透镜收集衍射光并把这些衍射光会聚到一点成像的能力用数值孔径来表示。 NA ≈（n）透镜的半径／透镜的焦长 ; ;消衍射光学系统:衍射可引起转移尺寸的变化;溶剂;; 正性胶;反转胶: 通过两次光照,用负胶版得到正胶版的图形,解决正胶版难对版的问题,但价格太贵.;匀胶: 匀胶机Spinner;要控制涂胶量, 实际上转数一定滴胶量不同胶厚不同。边沿偏厚。;外力; 曝光方式可分为接触式、接近式和投影式。根据光刻面的 不同有单面对准光刻和双面对准光刻。;光刻设备简介;匀胶机Spinner和Hot plate;德国Karl Suss 公司MA6/BA6双面对准光刻机 主要技术指标：基片双面对准(包括键合预对准)；基片尺寸：10′10mm2~F100mm；光源波长：435nm和365nm；套刻精度：1um；光源均匀性：5%四种曝光方式(软接触、硬接触、低真空，真空); 微波Plasma去胶机 （Asher and Stripper）;前处理 预烘100C10min;;反转胶 （AZ5214 ,AZ5200） 特点：负胶掩膜版、两次曝光、 最终得到使用正胶时得到的图形